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PDF 2SD874 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SD874 | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
| Fabricantes | WEJ | |
| Logotipo |  |
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RoHS
2SD874
2SD874 TRANSISTOR (NPN)
DFEATURES
Power dissipation
TPCM: 500 mW (Tamb=25℃)
.,LCollector current
ICM:
Collector-base voltage
1A
OV(BR)CBO:
30 V
Operating and storage junction temperature range
CTJ, Tstg: -55℃ to +150℃
SOT-89
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
2
3
ICELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
NCollector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
OEmitter-base breakdown voltage
RCollector cut-off current
TEmitter cut-off current
CDC current gain
ECollector-emitter saturation voltage
LBase-emitter saturation voltage
ETransition frequency
JCollector output capacitance
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
Test conditions
Ic=10µA, IE=0
Ic=2mA, IB=0
IE=10µA, IC=0
VCB=20V, IE=0
VEB=4V, IC=0
VCE=10V, IC=500mA
VCE=5V, IC=1A
IC=500mA, IB=50mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=10V, IC=50mA, f=200MHz
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
MIN TYP MAX UNIT
30 V
25 V
5V
0.1 µA
0.1 µA
85 340
50
0.4 V
1.2 V
200 MHz
20 pF
ECLASSIFICATION OF hFE(1)
WRank
QR S
Range
85-170
120-240
170-340
Marking ZQ ZR ZS
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SD870 | POWER TRANSISTORS(5A/1500V/50W) |  Mospec Semiconductor |
| 2SD870 | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |  Wing Shing Computer Components |
| 2SD870 | 600V, 5A, NPN SILICON POWER TRANSISTOR |  SavantIC |
| 2SD871 | POWER TRANSISTORS(6A/1500V/50W) | Mospec Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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