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PDF 2SK3160 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SK3160
Descripción Silicon N Channel MOS FET
Fabricantes Renesas　
Logotipo Renesas Logotipo



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No Preview Available ! 2SK3160 Hoja de datos, Descripción, Manual

2SK3160
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS =130 mΩ typ.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
REJ03G1085-0300
(Previous: ADE-208-751A)
Rev.3.00
Sep 07, 2005
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A
(Package name: TO-220FM)
D
G 1. Gate
2. Drain
3. Source
12 3
S
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7

1 page




2SK3160 pdf
2SK3160
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
16
10 V
12
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
10
IAP = 10 A
8 VDD = 50 V
duty < 0.1 %
Rg > 50 Ω
6
8 VGS = 0, –5 V
4
5V
Pulse Test
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
4
2
0
25 50 75 100 125 150
Channel Temperature Tch (°C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1
D=1
Tc = 25°C
0.5
0.3
0.2
0.1 0.1
0.05
0.03
0.02
0.011shot
pulse
0.01
10 µ 100 µ
θch – c(t) = γ s (t) • θ ch – c
θch – c = 4.17°C/W, Tc = 25°C
PDM
PW
T
D=
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Vin
15 V
Avalanche Test Circuit
VDS
Monitor
Rg
L
IAP
Monitor
D. U. T
VDD
50 Ω
Avalanche Waveform
EAR =
1
2
• L • IAP2 •
VDSS
VDSS – VDD
IAP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SK316SI N CHANNEL JUCTIONPanasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
2SK3160Silicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
2SK3160Silicon N Channel MOS FETRenesas
Renesas
2SK3161Silicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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