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Datasheet FP30R06W1E3 PDF ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 FP30R06W1E3
部品説明 IGBT-Module
メーカ Infineon
ロゴ Infineon ロゴ 
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FP30R06W1E3 Datasheet, FP30R06W1E3 PDF,ピン配置, 機能
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R06W1E3
EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC
EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 600V
IC nom = 30A / ICRM = 60A
TypischeAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigeSchaltverluste
• TrenchIGBT3
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
• NiedrigesVCEsat
MechanischeEigenschaften
Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• Lötverbindungstechnik
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
TypicalApplications
• AuxiliaryInverters
• AirConditioning
• MotorDrives
ElectricalFeatures
• LowSwitchingLosses
• TrenchIGBT3
• VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
• LowVCEsat
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• SolderContactTechnology
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK
approvedby:MB
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
ULapproved(E83335)
1

1 Page



FP30R06W1E3 pdf, ピン配列
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R06W1E3
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent

PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
VRRM  600  V
IF  30  A
IFRM 
I²t 
60
90,0
82,0
A

A²s
A²s
VF
IRM
Qr
Erec
RthJC
min. typ. max.
1,60 2,00
1,55
1,50
V
V
V
44,0
 48,0 
49,0
A
A
A
1,30 µC
 2,30  µC
2,70 µC
0,35 mJ
 0,55  mJ
0,65 mJ
 1,60 1,75 K/W
RthCH
 1,30
K/W
Tvj op
-40

150 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 80°C
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 30 A
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

VRRM 
IFRMSM 
IRMSM 
IFSM 
I²t 
1600
30
30
300
245
450
300
V
A
A

A
A

A²s
A²s
min. typ. max.
VF  1,00  V
IR  2,00  mA
RthJC
 1,20 1,35 K/W
RthCH
 1,15
K/W
Tvj op


 °C
preparedby:DK
approvedby:MB
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
3


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FP30R06W1E3 電子部品, 半導体
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP30R06W1E3
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
Gewicht
Weight
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal


TC=25°C,proSchalter/perswitch



Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt
The current under continuous operation is limited to 30 A rms per connector pin
VorläufigeDaten
PreliminaryData
VISOL  2,5  kV

Al2O3


11,5
6,3
 mm

10,0
5,0
 mm
CTI 
> 200

min. typ. max.
LsCE
 30  nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'

8,00
6,00

m
Tstg -40  125 °C
F 20 - 50 N
G  24  g
preparedby:DK
approvedby:MB
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
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