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IKW75N65EH5 の電気的特性と機能

IKW75N65EH5のメーカーはInfineonです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IKW75N65EH5
部品説明 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
メーカ Infineon
ロゴ Infineon ロゴ 




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IKW75N65EH5 Datasheet, IKW75N65EH5 PDF,ピン配置, 機能
IGBT
Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technologycopackedwithfull-ratedRAPID1
fastandsoftantiparalleldiode
IKW75N65EH5
650VDuoPackIGBTandfull-rateddiode
Highspeedseriesfifthgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl

1 Page





IKW75N65EH5 pdf, ピン配列
IKW75N65EH5
Highspeedseriesfifthgeneration
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17
3 Rev.2.1,2015-05-20


3Pages


IKW75N65EH5 電子部品, 半導体
IKW75N65EH5
Highspeedseriesfifthgeneration
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
td(on)
Tvj=25°C,
- 25 - ns
tr
td(off)
VCC=400V,IC=37.5A,
VGE=0.0/15.0V,
RG(on)=8.0,RG(off)=8.0,
- 14 - ns
- 178 - ns
tf
Eon
Lσ=30nH,Cσ=20pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
- 15 - ns
- 0.90 - mJ
Eoff diode reverse recovery.
- 0.30 - mJ
Ets - 1.20 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=25°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=25°C,
VR=400V,
IF=75.0A,
diF/dt=1000A/µs,
Lσ=30nH,
Cσ=25pF
Tvj=25°C,
VR=400V,
IF=37.5A,
diF/dt=1000A/µs,
Lσ=30nH,
Cσ=25pF
- 92 - ns
- 1.33 - µC
- 20.5 - A
- -600 - A/µs
- 59 - ns
- 1.00 - µC
- 25.8 - A
- -1750 - A/µs
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=150°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
Tvj=150°C,
VCC=400V,IC=75.0A,
VGE=0.0/15.0V,
RG(on)=8.0,RG(off)=8.0,
Lσ=30nH,Cσ=25pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode reverse recovery.
Tvj=150°C,
VCC=400V,IC=37.5A,
VGE=0.0/15.0V,
RG(on)=8.0,RG(off)=8.0,
Lσ=30nH,Cσ=20pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode reverse recovery.
Value
Unit
min. typ. max.
- 27 - ns
- 34 - ns
- 194 - ns
- 38 - ns
- 3.00 - mJ
- 1.00 - mJ
- 4.00 - mJ
- 25 - ns
- 16 - ns
- 207 - ns
- 18 - ns
- 1.80 - mJ
- 0.40 - mJ
- 2.20 - mJ
6 Rev.2.1,2015-05-20

6 Page



ページ 合計 : 17 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IKW75N65EH5 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IKW75N65EH5

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

Infineon
Infineon


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