DataSheet.jp

BF1102R の電気的特性と機能

BF1102RのメーカーはPhilipsです、この部品の機能は「Dual N-channel dual gate MOS-FETs」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BF1102R
部品説明 Dual N-channel dual gate MOS-FETs
メーカ Philips
ロゴ Philips ロゴ 




このページの下部にプレビューとBF1102Rダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 16 pages

No Preview Available !

BF1102R Datasheet, BF1102R PDF,ピン配置, 機能
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
MBD128
BF1102; BF1102R
Dual N-channel dual gate
MOS-FETs
Product specification
Supersedes data of 1999 Jul 01
2000 Apr 11

1 Page





BF1102R pdf, ピン配列
Philips Semiconductors
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Per MOS-FET unless otherwise specified
VDS drain-source voltage
ID drain current (DC)
IG1 gate 1 current
IG2 gate 2 current
Ptot total power dissipation
Tstg storage temperature
Tj operating junction temperature
Ts 102 °C
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-s
thermal resistance from junction to soldering point
Product specification
BF1102; BF1102R
MIN.
MAX.
UNIT
7V
40 mA
− ±10 mA
− ±10 mA
200 mW
65
+150
°C
150 °C
VALUE
240
UNIT
K/W
handboPot2ko,5th0alfpage
(mW)
200
150
100
50
0
0 50
MGS359
100 150 200
Ts (°C)
Fig.2 Power derating curve.
2000 Apr 11
3


3Pages


BF1102R 電子部品, 半導体
Philips Semiconductors
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
Product specification
BF1102; BF1102R
25
handbooIkD, halfpage
(mA)
20
MGS364
15
10
5
0
0 20 40 IG1 (µA) 60
VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; Tj = 25 °C.
Fig.7 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
handbook,1h5alfpage
ID
(mA)
10
MGS365
5
0
012345
VGG (V)
VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; Tj = 25 °C.
RG1 = 120 k(connected to VGG); see Fig.20.
Fig.8 Drain current as a function of gate 1 supply
voltage (= VGG); typical values.
handbook,3h0alfpage
ID
(mA)
RG1 = 47 k
20
10
MGS366
68 k
82 k
100 k
120 k
150 k
180 k
220 k
0
0 2 4 6 8 10
VGG = VDS (V)
VG2-S = 4 V; Tj = 25 °C.
RG1 connected to VGG; see Fig.20.
Fig.9 Drain current as a function of gate 1 (= VGG)
and drain supply voltage; typical values.
20
handbooIkD, halfpage
(mA)
16
12
MGS367
VG1-S = 5 V
4.5 V
4V
3.5 V
3V
8
4
0
0 2 4 VG2-S (V) 6
VDS = 5 V; Tj = 25 °C.
RG1 = 120 k(connected to VGG); see Fig.20.
Fig.10 Drain current as a function of gate 2
voltage; typical values.
2000 Apr 11
6

6 Page



ページ 合計 : 16 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BF1102R データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
BF1102

Dual N-channel dual gate MOS-FET

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BF1102R

Dual N-channel dual gate MOS-FETs

Philips
Philips


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap