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1N5617 の電気的特性と機能

1N5617のメーカーはDSIです、この部品の機能は「DIODE」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 1N5617
部品説明 DIODE
メーカ DSI
ロゴ DSI ロゴ 




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1N5617 Datasheet, 1N5617 PDF,ピン配置, 機能
Technical Data
DIODE
maximum ratings
Voltage, Reverse (VR)
Voltage, Reverse Peak (VRM)
Current at VR = OV (IO)
Current Average Rectified (IF)
Current Surge Peak (IFM)
Current, Surge (IFM) at tp = 10 ms
Max. Power Dissipation (PT) at TC = °C
Max. Thermal Resistance (Rth J-A)
Max. Junction Temperature (TJ)
400.0 V
400.0 V
empty
A
1.0 A
empty
A
50.0 A
empty
W
50.0 °C/W
200.0 °C
NO.
TYPE
empty
empty
CASE
empty
empty
1N5617
FAST-RECOVERY
empty
empty
SOD-57
empty
empty
PERFORMANCE CHARACTERISTICS at T = 25°C, unless otherwise noted
C
NO. SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNITS
1. VF
IF = 1.0 A
(1) - 1.2 V
2. IR
VR = 400.0 V
- 0.5 µA
3. IR
VR=400.0 V, TA = 100.0° C
- 25.0 µA
4. trr
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, irr = 0.25 A
-
150.0
ns
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
Notes
(1)pulse-tested tp 300 µs, duty cycle 2 %
empty
empty
empty
DIMENSIONS
in mm
Marking 5617
Customer GENERAL PURPOSE

1 Page







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ダウンロード
[ 1N5617 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
1N5610

Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressors

Microsemi
Microsemi
1N5610

Diode TVS Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin Case G

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
1N5611

Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressors

Microsemi
Microsemi
1N5611

Diode TVS Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW 2-Pin Case G

New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor


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