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2SA1662のメーカーはJin Yu Semiconductorです、この部品の機能は「PNP Transistor」です。 |
部品番号 | 2SA1662 |
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部品説明 | PNP Transistor | ||
メーカ | Jin Yu Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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2SA1662
TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Complementary to KTC4374
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
TJ
Tstg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
-80
-80
-5
-0.4
0.5
150
-55-150
Units
V
V
V
A
W
℃
℃
SOT-89
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
2
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=-1mA,IE=0
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO IE=-1mA,IC=0
Collector cut-off current
ICBO
VCB=-80V,IE=0
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VEB=-5V,IC=0
VCE=-2V,IC=-50mA
VCE=-2V,IC=-200mA
IC=-200mA,IB=-20mA
Base-emitter voltage
VBE VCE=-2V,IC=-5mA
Transition frequency
fT VCE=-10V,IC=-10mA
Collector output capacitance
Cob VCB=-10V,IE=0,f=1MHz
MIN
-80
-80
-5
70
40
-0.55
TYP
120
14
MAX UNIT
V
V
V
-0.1 μA
-0.1 μA
240
-0.4 V
-0.8 V
MHz
pF
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
Range
Marking
O
70-140
FO
Y
120-240
FY
JinYu
semiconductor
www.htsemi.com
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SA1662 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SA1661 | Silicon Planar Epitaxial Transistor | Galaxy Microelectronics |
2SA1661 | PNP Transistor | Jin Yu Semiconductor |
2SA1661 | PNP Transistor | JCST |
2SA1662 | PNP Transistor | Jin Yu Semiconductor |