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PDF BAS416 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BAS416 | |
| Descripción | Low-leakage diode | |
| Fabricantes | NXP Semiconductors | |
| Logotipo |  |
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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BAS416
Low-leakage diode
Product data sheet
Supersedes data of 2002 Nov 19
2004 Jan 26
1 page  
NXP Semiconductors
Low-leakage diode
Product data sheet
BAS416
handboo1k,0h2alfpage
IR
(nA)
10
(1)
MLB754
1
10 1
10 2
(2)
10 3
0
50
VR = 75 V.
(1) Maximum values.
(2) Typical values.
100 150 T j (oC) 200
Fig.5 Reverse current as a function of
junction temperature.
2
handbook, halfpage
Cd
(pF)
1
MBG526
0
0 5 10 15 VR (V) 20
f = 1 MHz; Tj = 25 °C.
Fig.6 Diode capacitance as a function
of reverse voltage; typical values.
handbook, full pagewidth
RS = 50 Ω
V = VR IF x R S
D.U.T.
IF
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
R i = 50 Ω
MGA881
VR
tr
10%
tp
90%
input signal
t
IF
t rr
t
(1)
output signal
(1) IR = 1 mA.
Input signal: reverse pulse rise time tr = 0.6 ns; reverse voltage pulse duration tp = 100 ns; duty factor δ = 0.05;
Oscilloscope: rise time tr = 0.35 ns.
Fig.7 Reverse recovery voltage test circuit and waveforms.
2004 Jan 26
5
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BAS416 | Low-leakage diode | NXP Semiconductors |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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