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TT215N の電気的特性と機能

TT215NのメーカーはInfineonです、この部品の機能は「Phase Control Thyristor Module」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 TT215N
部品説明 Phase Control Thyristor Module
メーカ Infineon
ロゴ Infineon ロゴ 




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TT215N Datasheet, TT215N PDF,ピン配置, 機能
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
TT215N
Key Parameters
VDRM / VRRM
ITAVM
ITSM
VT0
rT
RthJC
Base plate
Weight
1800 2200 V
215 A (TC=85 °C)
37057000AA(TC=55°C)
0,95 V
0,92 mΩ
0,124 K/W
50 mm
800 g
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehäuse
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Features
Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrial standard package
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Sanftanlasser
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Kurzschließer-Applikationen
Leistungssteller
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Statische Umschalter
Typical Applications
Soft starter
Rectifier for drives applications
Crowbar applications
Power controllers
Rectifiers for UBS
Battery chargers
Static switches
content of customer DMX code
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
DMX code
digit
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
DMX code
digit quantity
5
7
8
2
2
Date of Publication 2014-01-22
Revision: 3.0
TT TD
www.ifbip.com
Seite/page 1/11

1 Page





TT215N pdf, ピン配列
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT215N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
Thermische Eigenschaften5.Kennbuchstabe / 5th letter O
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
tq
VISOL
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
MechanischeBetriebstemperatur Eigenschaften
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
Basic insulation (class 1, IEC61140)
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2
DIN 46 244
G
f = 50 Hz
file-No.
typ. 300 µs
3,0 kV
3,6 kV
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,065 K/W
0,130 K/W
0,062 K/W
0,124 K/W
0,02 K/W
0,04 K/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+130 °C
Seite 3
page 3
AlN
5 Nm
12 Nm
A 2,8 x 0,8
typ. 800 g
17 mm
50 m/s²
E 83335
Date of Publication 2014-01-22
Revision: 3.0
Seite/page 3/11


3Pages


TT215N 電子部品, 半導体
Diagramme
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
Technische Information /
technical information
TT215N
0,14
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
0,001
0,01
0,1 t [s]
1
10 100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
DurchgangsverlusteSinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
100
10 c
b
a
1
0,1
10
100
iG [mA]
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W/10ms b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms
Date of Publication 2014-01-22
Revision: 3.0
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[ TT215N データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
TT2150

Small kVA 3 Phase Isolation Transformer

TEMCo
TEMCo
TT2150

Temperatursensoren

ifm
ifm
TT2157

(TT2157 - TT2171) Control Transformer

TEMCo
TEMCo
TT2158

(TT2157 - TT2171) Control Transformer

TEMCo
TEMCo


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