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IGC07T120T6LのメーカーはInfineonです、この部品の機能は「IGBT4 Low Power Chip」です。 |
部品番号 | IGC07T120T6L |
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部品説明 | IGBT4 Low Power Chip | ||
メーカ | Infineon | ||
ロゴ | |||
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IGC07T120T6L
IGBT4 Low Power Chip
Features:
• 1200V Trench + Field stop technology
• low switching losses
• positive temperature coefficient
• easy paralleling
This chip is used for:
• low / medium power modules
Applications:
• low / medium power drives
C
G
E
Chip Type
IGC07T120T6L
VCE
1200V
ICn
4A
Die Size
2.54 x 2.72 mm2
Package
sawn on foil
MECHANICAL PARAMETER
Raster size
Emitter pad size
Gate pad size
Area total / active
Thickness
Wafer size
Flat position
Max.pos sible chips per wafer
Passivation frontside
Pad metal
Backside metal
Die bond
Wire bond
Reject ink dot size
Recommended storage environment
2.54 x 2.72
1.029 x 1.248
0.358 x 0.514
mm 2
6.9 / 2.8
115 µm
150 mm
90 grd
2162
Photoimide
3200 nm AlSiCu
Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Electrically conductive glue or solder
Al, <500µm
∅ 0.65mm ; max 1.2mm
Store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
Edited by IN FINEON Technologies , AIM PMD D CID CLS , L7483C, Edition 1, 31.10.2007
1 Page IGC07T120T6L
SWITCHING CHARACTERISTICS inductive load (not subject to production test - verified by design /
characterization )
Parameter
Symbol
Conditions 1)
Value
min. typ. max.
Unit
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
td(on)
tr
td(off)
tf
Tj =125°C
VC C=600V,
IC =4 A,
VGE =- 15/15V,
R G= ---Ω
tbd
tbd
ns
tbd
tbd
1) values also influenced by parasitic L- and C- in measurement and package.
Edited by IN FINEON Technologies , AIM PMD D CID CLS , L7483C, Edition 1, 31.10.2007
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IGC07T120T6L データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IGC07T120T6L | IGBT4 Low Power Chip | Infineon |