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IGC89T170S8RMのメーカーはInfineonです、この部品の機能は「IGBT3 Power Chip」です。 |
部品番号 | IGC89T170S8RM |
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部品説明 | IGBT3 Power Chip | ||
メーカ | Infineon | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとIGC89T170S8RMダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 5 pages
IGC89T170S8RM
IGBT3 Power Chip
Features:
1700V Trench + Field stop technology
low switching losses
soft turn off
positive temperature coefficient
easy paralleling
This chip is used for:
power modules
Applications:
drives
Chip Type
VCE
IC
IGC89T170S8RM 1700V 75A
Die Size
8.85 x 10.09 mm2
C
G
E
Package
sawn on foil
Mechanical Parameters
Raster size
Emitter pad size (incl. gate pad)
Gate pad size
Area total
Thickness
Wafer size
Max.possible chips per wafer
Passivation frontside
Pad metal
Backside metal
Die bond
Wire bond
Reject ink dot size
Recommended storage environment
8.85 x 10.09
6.634 x 7.874
1.674 x 0.899
mm2
89.3
190 µm
200 mm
280
Photoimide
3200 nm AlSiCu
Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Electrically conductive glue or solder
Al, <500µm
0.65mm ; max 1.2mm
Store in original container, in dry nitrogen, in dark
environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C
Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7773O, L7773T, L7773E, Edition 0.9, 27.06.2014
1 Page IGC89T170S8RM
Further Electrical Characteristic
Switching characteristics and thermal properties are depending strongly on module design and mounting
technology and can therefore not be specified for a bare die.
Edited by INFINEON Technologies, IFAG IPC TD VLS, L7773O, L7773T, L7773E, Edition 0.9, 27.06.2014
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ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IGC89T170S8RM データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IGC89T170S8RM | IGBT3 Power Chip | Infineon |