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11N50K-MTのメーカーはUnisonic Technologiesです、この部品の機能は「N-CHANNEL POWER MOSFET」です。 |
部品番号 | 11N50K-MT |
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部品説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ||
メーカ | Unisonic Technologies | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと11N50K-MTダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 5 pages
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
11N50K-MT
Preliminary
11A, 500V N-CHANNEL
POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 11N50K-MT is an N-channel enhancement mode
power MOSFET. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS
technology to provide customers perfect switching performance,
minimal on-state resistance. It also can withstand high energy pulse
in the avalanche and commutation mode.
The UTC 11N50K-MT is universally applied in electronic lamp
ballasts based on half bridge topology, high efficiency switched
mode power supplies, active power factor correction, etc.
FEATURES
* RDS(ON) < 0.55Ω @ VGS = 10 V, ID = 5.5 A
* Fast Switching
* With 100% Avalanche Tested
SYMBOL
2.Drain
Power MOSFET
1.Gate
3.Source
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
11N50KL-TF2-T
11N50KG-TF2-T
Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source
Package
TO-220F2
Pin Assignment
123
GD S
Packing
Tube
MARKING
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2015 Unisonic Technologies Co., Ltd
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QW-R502-B25.c
1 Page 11N50K-MT
Preliminary
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
Power MOSFET
VGS
(Driver)
ISD
(D.U.T.)
VDS
(D.U.T.)
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
P. W.
D= Period
VGS= 10V
IFM, Body Diode Forward Current
di/dt
IRM
Body Diode Reverse Current
Body Diode Recovery dv/dt
VDD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
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QW-R502-B25.c
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 11N50K-MT データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
11N50K-MT | N-CHANNEL POWER MOSFET | Unisonic Technologies |