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IKQ120N60TのメーカーはInfineonです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
部品番号 | IKQ120N60T |
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部品説明 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
メーカ | Infineon | ||
ロゴ | |||
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IGBT
LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnology
withsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlleddiode
IKQ120N60T
600Vlowlossswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page TRENCHSTOPTMseries
IKQ120N60T
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
3 Rev.2.2,2014-11-18
3Pages TRENCHSTOPTMseries
DiodeCharacteristic,atTvj=25°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=25°C,
VR=400V,
IF=120.0A,
diF/dt=1000A/µs
IKQ120N60T
- 241 - ns
- 3.40 - µC
- 26.5 - A
- -120 - A/µs
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=175°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Tvj=175°C,
VCC=400V,IC=120.0A,
VGE=0.0/15.0V,
RG(on)=3.0Ω,RG(off)=3.0Ω,
Lσ=63nH,Cσ=31pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode reverse recovery.
min.
Value
typ.
max. Unit
- 52 - ns
- 104 - ns
- 623 - ns
- 75 - ns
- 11.40 - mJ
- 7.10 - mJ
- 18.50 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=175°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=175°C,
VR=400V,
IF=120.0A,
diF/dt=650A/µs
- 368 - ns
- 10.30 - µC
- 45.0 - A
- -243 - A/µs
6 Rev.2.2,2014-11-18
6 Page | |||
ページ | 合計 : 16 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IKQ120N60T データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IKQ120N60T | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |
IKQ120N60TA | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |