|
|
IKB20N60TAのメーカーはInfineonです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
部品番号 | IKB20N60TA |
| |
部品説明 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
メーカ | Infineon | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとIKB20N60TAダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 16 pages
IGBT
LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology
withsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlleddiode
IKB20N60TA
600Vlowlossswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page TrenchStop®series
IKB20N60TA
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17
3 Rev.2.2,2013-08-21
3Pages IKB20N60TA
TrenchStop®series
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=25°C
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
Tvj=25°C,
VCC=600V,IC=20.0A,
VGE=0.0/15.0V,
rG=12.0Ω,Lσ=131nH,
Cσ=31pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode reverse recovery.
min.
Value
typ.
max. Unit
- 18 - ns
- 14 - ns
- 199 - ns
- 42 - ns
- 0.31 - mJ
- 0.46 - mJ
- 0.77 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=25°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=25°C,
VR=600V,
IF=20.0A,
diF/dt=880A/µs
- 41 - ns
- 0.31 - µC
- 13.3 - A
- 711 - A/µs
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=150°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Tvj=150°C,
VCC=600V,IC=20.0A,
VGE=0.0/15.0V,
rG=12.0Ω,Lσ=131nH,
Cσ=31pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode reverse recovery.
min.
Value
typ.
max. Unit
- 18 - ns
- 17 - ns
- 217 - ns
- 70 - ns
- 0.47 - mJ
- 0.60 - mJ
- 1.07 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=150°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=150°C,
VR=600V,
IF=20.0A,
diF/dt=800A/µs
- 201 - ns
- 1.28 - µC
- 16.6 - A
- 481 - A/µs
6 Rev.2.2,2013-08-21
6 Page | |||
ページ | 合計 : 16 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ IKB20N60TA データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IKB20N60T | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |
IKB20N60TA | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |