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1SS199のメーカーはHitachi Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector/ High Speed Switching」です。 |
部品番号 | 1SS199 |
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部品説明 | Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector/ High Speed Switching | ||
メーカ | Hitachi Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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1SS199
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector,
High Speed Switching
ADE-208-299A (Z)
Rev. 1
Features
• Detection efficiency is very good.
• Small temperature coefficient.
• Small glass package (MHD) enables easy mounting and high reliability.
Ordering Information
Type No.
1SS199
Cathode band
Green
Mark
3
Package Code
MHD
Outline
12
Cathode band
1. Cathode
2. Anode
1 Page 10–1
10–2
10–3
10–4
10–5
0
0.4 0.8 1.2 1.6
Forward voltage VF (V)
2.0
Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage
10–2
10–3
10–4
10–5
10–6
0
5 10 15 20 25
Reverse voltage VR (V)
30
Fig.2 Reverse current Vs. Reverse voltage
1SS199
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 1SS199 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
1SS190 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Toshiba Semiconductor |
1SS190 | Switching Diodes | LGE |
1SS190 | SWITCHING DIODE | RECTRON |
1SS190 | SWITCHING DIODE | JCET |