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6HN04MH の電気的特性と機能

6HN04MHのメーカーはON Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel Silicon MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 6HN04MH
部品説明 N-Channel Silicon MOSFET
メーカ ON Semiconductor
ロゴ ON Semiconductor ロゴ 




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6HN04MH Datasheet, 6HN04MH PDF,ピン配置, 機能
6HN04MH
Ordering number : ENA0365A
6HN04MH
Features
4V drive.
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
Conditions
PW10µs, duty cycle1%
When mounted on ceramic substrate (900mm20.8mm)
Ratings
60
±20
200
800
0.6
150
--55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
W
°C
°C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Marking : FB
Symbol
Conditions
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
ID=1mA, VGS=0V
VDS=60V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
VDS=10V, ID=100µA
VDS=10V, ID=100mA
ID=100mA, VGS=10V
ID=50mA, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
min
60
1.2
140
Ratings
typ
max
Unit
V
1 µA
±10 µA
2.6 V
240 mS
1.8 2.4
2.6 3.7
27 pF
8.6 pF
4.4 pF
Continued on next page.
© 2011, SCILLC. All rights reserved.
Jan-2011, Rev. 0
Rev.0 I Pwagwew1.oofn4seImwiw.cwo.omnsemi.com
Publication Order Number:
6HN04MH/D

1 Page





6HN04MH pdf, ピン配列
6HN04MH
RDS(on) -- VGS
5.5
Ta=25°C
5.0
4.5
4.0
3.5
100mA
3.0
2.5
ID=50mA
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
yfs-- ID
7
VDS=10V
5
18 20
IT11265
3
2
0.1 25°C
7 75°C
5
3
2
0.01
1.0
3
2
2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1000
Drain Current, ID -- mA
SW Time -- ID
IT11267
VDD=30V
VGS=10V
100 td(off)
7
5 tf
3
2
td(on)
10 tr
7
5
0.01 2 3
10
VDS=30V
9 ID=200mA
5 7 0.1
23
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
8
5 7 1.0
IT11269
7
6
5
4
3
2
1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT11271
RDS(on) -- Ta
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
VVGGSS==41V0,VI, DI =D5=01m00AmA
1.5
1.0
0.5
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT11266
1000 IS -- VSD
7 VGS=0V
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
0.4
7
5
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT11268
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
3 Ciss
2
10 Coss
7
Crss
5
3
2
0 5 10 15 20
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11270
ASO
2
1.0 IDP=800mA
7
5
3 ID=200mA
2
0.1
7
5
10µs
10ms 1ms100µs
100ms
3
2
0.01 Operation in this
7 area is limited by RDS(on).
5
3 Ta=25°C
2 Single pulse
0.001 When mounted on ceramic substrate (900mm20.8mm)
0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7100
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11272
Rev.0 I Page 3 of 4 I www.onsemi.com


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ 6HN04MH データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
6HN04MH

N-Channel Silicon MOSFET

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
6HN04MH

N-Channel Silicon MOSFET

ON Semiconductor
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