|
|
2SK3827のメーカーはON Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel Silicon MOSFET」です。 |
部品番号 | 2SK3827 |
| |
部品説明 | N-Channel Silicon MOSFET | ||
メーカ | ON Semiconductor | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと2SK3827ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 4 pages
2SK3827
Ordering number : ENN8244
2SK3827
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
Features
• Low ON-resistance.
• 4V drive.
• Ultrahigh-speed switching.
• Motor drive, DC / DC converter.
• Avalanche resistance guarantee.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
Note : *1 VDD=20V, L=200µH, IAV=40A
*2 L≤200µH, Single pulse
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
Conditions
PW≤10µs, duty cycle≤1%
Tc=25°C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Marking : K3827
Symbol
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Conditions
ID=1mA, VGS=0
VDS=100V, VGS=0
VGS= ±16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=20A
ID=20A, VGS=10V
ID=20A, VGS=4V
Ratings
100
±20
40
160
1.75
60
150
--55 to +150
190
40
Unit
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
min
100
1.2
18.5
Ratings
typ
max
Unit
V
1 µA
±10 µA
2.6 V
31 S
26 34 mΩ
31 43 mΩ
Continued on next page.
© 2011, SCILLC. All rights reserved.
Jan-2011, Rev. 0
Rev.0 I Pwagwew1.oofn4seImwiw.cwo.omnsemi.com
Publication Order Number:
2SK3827/D
1 Page 2SK3827
ID -- VDS
ID -- VGS
80 80
Tc=25°C
VDS=10V
70 8V
70
4V
60 60
50 50
40 40
30 30
20
VGS=3V
10
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08878
RDS(on) -- VGS
70
ID=20A
60
50
40 Tc=75°C
30 25°C
20 --25°C
10
0
2345678
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
yfs -- ID
100
7 VDS=10V
5
3 25°C
2
10
7
5
Tc=
--25°C
75°C
3
2
9 10
IT08880
1.0
7
5
0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100
1000
7
VDD=50V
VGS=10V
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT08882
3
2
tf
100
7
5 tr
td(on)
3
2
20
10
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT08879
RDS(on) -- Tc
80
70
60
50
40
30
I D=I2D0=A2,0VA,GVS=G4SV=10V
20
10
0
--50
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0
10000
7
5
--25 0
25 50 75 100 125 150
Case Temperature, Tc -- °C
IF -- VSD
IT08881
VGS=0
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT08883
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
3
2
1000
7
5
3
2
Coss
Crss
10
0.1
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100
Drain Current, ID -- A
IT08884
100
0
5 10 15 20 25 30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08885
Rev.0 I Page 3 of 4 I www.onsemi.com
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ 2SK3827 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SK382 | N-Channel MOSFET Transistor | Inchange Semiconductor |
2SK3820 | N-Channel Silicon MOSFET | Sanyo |
2SK3820 | N-Channel Power MOSFET / Transistor | ON Semiconductor |
2SK3821 | N-Channel Silicon MOSFET | Sanyo |