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2SK3826のメーカーはON Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel Silicon MOSFET」です。 |
部品番号 | 2SK3826 |
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部品説明 | N-Channel Silicon MOSFET | ||
メーカ | ON Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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2SK3826
Ordering number : ENN8243
2SK3826
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
Features
• Low ON-resistance.
• 4V drive.
• Ultrahigh-speed switching.
• Motor drive, DC / DC converter.
• Avalanche resistance guarantee.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
Note : *1 VDD=20V, L=200µH, IAV=26A
*2 L≤200µH, Single pulse
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
Conditions
PW≤10µs, duty cycle≤1%
Tc=25°C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Marking : K3826
Symbol
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Conditions
ID=1mA, VGS=0
VDS=100V, VGS=0
VGS= ±16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=13A
ID=13A, VGS=10V
ID=13A, VGS=4V
Ratings
100
±20
26
104
1.75
45
150
--55 to +150
80
26
Unit
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
min
100
1.2
11
Ratings
typ
max
Unit
V
1 µA
±10 µA
2.6 V
19 S
46 60 mΩ
57 80 mΩ
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© 2011, SCILLC. All rights reserved.
Jan-2011, Rev. 0
Rev.0 I Pwagwew1.oofn4seImwiw.cwo.omnsemi.com
Publication Order Number:
2SK3826/D
1 Page 2SK3826
50
Tc=25°C
45
40
35
ID -- VDS
8V
10V
6V
4V
30
25
20
15
10
VGS=3V
5
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08868
RDS(on) -- VGS
120
ID=13A
110
100
90
80
70 Tc=75°C
60
50 25°C
40
--25°C
30
20
2345678
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
yfs -- ID
7
5 VDS=10V
9 10
IT08870
3
2 25°C
10
7
5
Tc=
--25°C
75°C
3
2
1.0
7
5
3
0.1
5
3
2
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
2 3 57
IT08872
td(off)
VDD=50V
VGS=10V
50
VDS=10V
45
ID -- VGS
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT08869
RDS(on) -- Tc
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
--50
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0
5
3
2
IIDD==131A3A, V, VGGS=S4=V10V
--25 0
25 50 75 100 125 150
Case Temperature, Tc -- °C
IT08871
IF -- VSD
VGS=0
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT08873
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
100
7 tf
5
3
2
td(on)
tr
10
7
0.1
2 3 5 7 1.0
2 3 5 7 10
Drain Current, ID -- A
23 5
IT08874
1000
7
5
3
2
100
7
5
0
Coss
Crss
5 10 15 20 25 30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08875
Rev.0 I Page 3 of 4 I www.onsemi.com
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SK3826 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SK382 | N-Channel MOSFET Transistor | Inchange Semiconductor |
2SK3820 | N-Channel Silicon MOSFET | Sanyo |
2SK3820 | N-Channel Power MOSFET / Transistor | ON Semiconductor |
2SK3821 | N-Channel Silicon MOSFET | Sanyo |