|
|
ILE4276GのメーカーはIntegralです、この部品の機能は「ICs of voltage regulator」です。 |
部品番号 | ILE4276G |
| |
部品説明 | ICs of voltage regulator | ||
メーカ | Integral | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとILE4276Gダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 7 pages
ILE4276G
Микросхема мощного стабилизатора напряжения
5В/400мА, 8.5В/400мА, 10В/400мА и регулируемого с низким
остаточным напряжением
(Функциональный аналог TLE4276G ф. Infineon)
ОПИСАНИЕ
Микросхемы ILE4276G - однокристальные инте-
гральные микросхемы мощного стабилизатора напря-
жения:
- ILE4276V50G – 5 В/400 мА
- ILE4276V85G - 8.5В/400 мА;
- ILE4276V10G - 10В/400 мА;
- ILE4276VG – регулируемый от 2,5 до 20 В
с низким остаточным напряжением и входом за-
прета, выполненные в пластмассовом корпусе типа
Р-ТО 263-5-1) по спецификации ф. Infineon.
Микросхемы мощного стабилизатора напряже-
Р-ТО 263-5-1 (1501Ю.5-А)
ния предназначены для создания постоянного напря-
жения значением 5 В, 8.5 В, 10 В и регулируемого от
2,5 до 20 В с остаточным напряжением менее 0.5 В при токе нагрузки 250 мА и низким
током потребления и используются в источниках питания электронной аппаратуры, в
том числе в автомобильной электронике. Микросхемы устойчивы к перенапряжению как
положительной, так и отрицательной полярности, имеют внутреннее ограничение мак-
симального тока нагрузки с температурным сбросом выходного напряжения.
ОСОБЕННОСТИ:
- точность выходного напряжения ± 4%;
- низкое остаточное напряжение;
- низкий ток потребления;
- встроенная защита от перегрева;
- схема устойчива к переполюсовке выводов;
- диапазон температуры кристалла от минус 40 до +150°С;
- применима в автомобильной электронике;
- имеет вход сброса
Технология изготовления кристалла – базовая 40 В биполярная с двухуровневой
металлизацией и блоком ПКК резисторов.
ИНТЕГРАЛ
ILE4276GTsr.doc, m, Normal.dot, 240640, 2009-02-23, 1:52 , V 1.1
1
1 Page ILE4276G
Таблица 2 – Предельно допустимые и предельные режимы
Наименование параметра
Температура кристалла, ТJ
Температура хранения, Тstg
Входное напряжение, UI
ILE4276V50G
ILE4276V85G
ILE4276V10G
ILE4276VG (при UQ < 4 В)
Напряжение по входу запрета, UINH
Ток по выводу «общий», IGND
Выходное напряжение, UQ
ILE4276V50G
ILE4276V85G
ILE4276V10G
ILE4276VG
Входное напряжение регулировки,
UVA, ILE4276VG
Единица
изме-
рения
0C
0C
В
В
А
В
В
Предельно
допустимый режим
не не
менее
более
-40* 150
--
5.7
9.34
10.9
4.5
-
-
40
40
40
40
-
25
4.8
8.16
9.6
2.4
2.4***
5.2
8.84
10.4
20
2.6***
Предельный
режим
не не
менее более
-40* 150
-50 150
-42
-42**
-
45
45**
100
-1.0**
40**
-0.3**
10**
* Указана температура среды.
** Без подачи напряжения на вход I.
*** Предельно- допустимое входное напряжение регулировки микросхемы ILE4276VG,
ILE4276VS составляет 2,5 В ± 4%.
Примечание – Предельно допустимая мощность Ptot max, Вт, рассеиваемая микросхемой
при температуре окружающей среды TA , определяется как
Ptot max= (150 - TA) / Rth ja ,
(1)
где 150 - предельно допустимая рабочая температура кристалла, °С,
Rth ja - тепловое сопротивление “кристалл - окружающая среда” (для микросхемы без
внешнего дополнительного теплоотвода), °С /Вт. Значение данного параметра микросхем
аналогов согласно информационным материалам ф. “ Infineon ” составляет Rth ja = 80 °С /Вт
для корпуса Р-ТО 263-5-1 (1501Ю.5-А).
Для микросхемы с внешним дополнительным теплоотводом
Rth ja = Rth jc + Rth ca ,
(2)
где Rth jc - тепловое сопротивление “кристалл-корпус” микросхемы, °С /Вт. Значение дан-
ного параметра микросхем аналогов составляет Rth jc = 4 °С /Вт (согласно информационным
материалам ф. “Infineon”).
Тепловое сопротивление “корпус-среда” Rth ca разрабатываемой микросхемы определя-
ется конструкцией теплоотвода и определяется потребителем микросхемы.
Используемый теплоотвод, режим включения (потребляемая мощность) и температура
среды должны обеспечивать температуру кристалла не более TJ ≤ 150 °С
ИНТЕГРАЛ
ILE4276GTsr.doc, m, Normal.dot, 240640, 2009-02-23, 1:52 , V 1.1
3
3Pages ILE4276G
01 02
04 05
03
Технологическая
маркировка
Цеховая марки-
ровка
Контролируемые размеры
y
1690 мкм
x
Рисунок 3– Габаритный чертеж кристалла
Таблица 5 - Таблица координат контактных площадок
Номер
контакт-
ной пло-
щадки
Координаты контактных площадок
Левый нижний угол
Правый верхний угол
Х, мкм
У, мкм
Х, мкм
У, мкм
Размер контактной площадки, мкм
(по слою пассивация)
01
123.5
899.5
333.5
1109.5
210 x 210
02
399.5
899.5
609.5
1109.5
210 x 210
03 740.5 846
926.5
1056
186 x 210
04
1058
899.5
1268
1109.5
210 x 210
05
1353.5
899.5
1563.5
1109.5
210 x 210
ИНТЕГРАЛ
ILE4276GTsr.doc, m, Normal.dot, 240640, 2009-02-23, 1:52 , V 1.1
6
6 Page | |||
ページ | 合計 : 7 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ ILE4276G データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
ILE4276 | Low-Drop Voltage Regulator | IK Semiconductor |
ILE4276G | ICs of voltage regulator | Integral |
ILE4276V10G | ICs of voltage regulator | Integral |
ILE4276V10S | ICs of voltage regulator | Integral |