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S9014 PDF Data sheet ( 特性 )

部品番号 S9014
部品説明 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
メーカ MOBICON
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S9014 Datasheet, S9014 PDF,ピン配置, 機能
NP N EP ITAXIAL S ILICON TRANSISTOR ( Version C1.0 )
Ge nera l Purpos e Applica tion
S witching Application
Collector Curre nt Ic=100mA
Collector P owe r Dissipa tion P c=625mW
Comple men tary to S9015
S9014
TO- 92
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic
Symbol
Collector-Ba s e Volta ge
Collector-Emitte r Volta ge
VCBO
VCEO
Emitte r-Bas e Volta ge
VEBO
Collector Curre nt
Collector P owe r Dis sipa tion
IC
PC
J unction Te mpe ra ture
Tj
S tora ge Te mpe ra ture
Ts tg
Value
50
45
5
100
450
150
-55~
+150
(Ta =25 )
Unit
V
V
V
mA
mW
1 23
1. Emitte r
2. Bas e
3. Colle ctor
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta =25 unle s s othe rwis e s pecif ied )
Char a cteristic
Collector-ba s e bre a kdown volta ge
Collector-e mitter bre a kdown
volt ag e
Emitte r-ba s e bre a kdown volta ge
Collector cut-off curre nt
S ymbol
Tes t Condition
BVCBO IC=100
BVCEO IC=1mA
BVEBO IE=100
ICBO VCB=50V
Min Typ Ma x Unit
50 V
45 V
5V
50
DC curre nt gain
Collector-e mitte r s a tura tion
volt ag e
hFE IC=1mA
VCE=5V 60
VCE(s a t) IC=100mA IB= 5mA
1000
0.3
V
* hFE Cla ssifica tion: A: 60~150, B:100~300 , C:200~600 , D=400~1,000

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