|
|
IN93AA56BNのメーカーはIntegralです、この部品の機能は「EEPROM Integrated circuit」です。 |
部品番号 | IN93AA56BN |
| |
部品説明 | EEPROM Integrated circuit | ||
メーカ | Integral | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとIN93AA56BNダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 13 pages
IN93AA56AN/AD, IN93AA56BN/BD, IN93AA56CN/CD
Микросхема IN93AA56AN/AD,
IN93AA56BN/BD, IN93AA56CN/CD
(аналог САТ93С56 ф.Catalyst) –
электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ
с информационной емкостью 2К (256х8 и/или 128х16 ) с
3-х проводным интерфейсом. Для микросхем
IN93AA56СN, IN93AA56СD при подключении вывода
ORG к общему выводу выбирается организация 256х8 бит,
если вывод ORG подключен к Ucc или остается свобод-
ным, то выбирается организация 128х16 бит. Для микро-
схем типономиналов А и В вывод ORG не подключается.
При этом микросхема IN93AA56AN, IN93AA56AD имеет
организацию 256х8, а микросхема IN93AA56ВN,
IN93AA56ВD – организацию 128х16 бит.
Микросхема предназначена для записи, считывания и
длительного энергонезависимого неразрушаемого хране-
ния информации в системах с 3-х проводным интерфей-
сом. Используется в телевизионных приемниках, в технике
связи, контрольно-измерительной аппаратуре, изделиях
бытовой электроники.
08
08
01
Индекс N
01 DIP-корпус
Индекс D
SO-корпус
Рисунок 1 - Микросхемы в DIP и
SO-корпусах
Отличительные особенности:
• неразрушаемое хранение 2 Кбит информации в течение 100 лет при Тa = 25 оС;
• один источник питания (UСС = 1,8 B – 6,0 В);
• встроенный в кристалл умножитель напряжения;
• возможность образования общей шины ввода/вывода;
• автоматическое приращение адреса слова;
• внутренний таймер для записи;
• 1 000 000 циклов стирания/записи на байт;
• установка внутренней логики по включению питания;
• неограниченное количество циклов считывания;
• низкая потребляемая мощность;
• температурный диапазон от минус 40 до плюс 85 оС
CS 01
SK 02
DI 03
DO 04
08 Vcc
07 NC
06 NC (ORG)
05 GND
Рисунок 2 – Обозначение выводов в корпусе микросхем IN93AA56AN/AD,
IN93AA56BN/BD, (IN93AA56CN/CD)
Ред.01/15.06.2008
1
1 Page IN93AA56AN/AD, IN93AA56BN/BD, IN93AA56CN/CD
Таблица 1 - Назначение выводов микросхем IN93AA56AN/AD, IN93AA56BN/BD
Обозначение
CS
SK
DI
DO
GND
NC
NC
VCC
Вывод
01
02
03
04
05
06
07
08
Назначение
Вход сигнала “Выбор кристалла”
Вход тактового сигнала
Последовательный вход данных
Последовательный выход данных
Общий вывод
Не используется
Не используется
Вывод питания от источника напряжения
Таблица 2 - Назначение выводов микросхем IN93AA56CN/CD
Обозначение
CS
SK
DI
DO
GND
ORG
NC
VCC
Вывод
01
02
03
04
05
06
07
08
Назначение
Вход сигнала “Выбор кристалла”
Вход тактового сигнала
Последовательный вход данных
Последовательный выход данных
Общий вывод
Вход сигнала “Выбор конфигурации памяти”
Не используется
Вывод питания от источника напряжения
Ред.01/15.06.2008
3
3Pages IN93AA56AN/AD, IN93AA56BN/BD, IN93AA56CN/CD
Продолжение таблицы 4
Наименование параметра, единица из-
мерения
Буквен-
ное обо-
значение
Время перехода выхода в высокоимпе-
дансное состояние, нс
tHZ
Время цикла стирание/ запись, мс
tCY
Время перехода выхода в состояние
«Проверка статуса», нс
tSV
Время от включения питания до начала tPUR
операции чтения, мс
Время от включения питания до начала tPUW
операции записи, мс
Количество циклов стирания/записи на NE/W
байт
Режим измерения
UCC = 4,5 В
fC = 2 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0,5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 250 кГц
UCC = 4,5 В
fC = 2 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0.5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 250 кГц
UCC = 4,5 В
fC = 2 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0,5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 250 кГц
UCC = 4,5 В
fC = 2 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0,5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 250 кГц
UCC = 4,5 В
fC = 2 МГц
UCC = 2,5 В
fC = 0,5 МГц
UCC = 1,8 В
fC = 250 кГц
Ucc = 5,0 B
Норма
не менее не более
– 100
– 200
– 400
– 10
– 10
– 10
– 250
– 500
– 1000
– 1,0
– 1,0
– 1,0
– 1,0
– 1,0
– 1,0
1000000
–
Ред.01/15.06.2008
6
6 Page | |||
ページ | 合計 : 13 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ IN93AA56BN データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IN93AA56BD | EEPROM Integrated circuit | Integral |
IN93AA56BN | EEPROM Integrated circuit | Integral |