|
|
IRF7309QPBFのメーカーはInternational Rectifierです、この部品の機能は「Power MOSFET ( Transistor )」です。 |
部品番号 | IRF7309QPBF |
| |
部品説明 | Power MOSFET ( Transistor ) | ||
メーカ | International Rectifier | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとIRF7309QPBFダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 11 pages
PD - 96135A
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
l Dual N and P Channel MOSFET
l Surface Mount
l Available in Tape & Reel
l 150°C Operating Temperature
l Lead-Free
Description
These HEXFET® Power MOSFET's in a Dual
SO-8 package utilize the lastest processing
techniquestoachieveextremelylow on-resistance
per silicon area. Additional features of these
HEXFET Power MOSFET's are a 150°C junction
operating temperature, fast switching speed and
improved repetitive avalanche rating. These
benefits combine to make this design an extremely
efficient and reliable device for use in a wide
variety of applications.
The efficient SO-8 package provides enhanced
thermal characteristics and dual MOSFET die
capability making it ideal in a variety of power
applications. This dual, surface mount SO-8 can
dramatically reduce board space and is also
available in Tape & Reel.
IRF7309QPbF
HEXFET® Power MOSFET
N-CHANNEL MOSFET
S1 1
8 D1
N-Ch P-Ch
G1 2
S2 3
7 D1
VDSS
6 D2
30V
-30V
G2 4
5 D2 RDS(on) 0.050Ω 0.10Ω
P-CHANNEL MOSFET
Top View
SO-8
www.irf.com
1
08/02/10
1 Page IRF7309QPbF
www.irf.com
3
3Pages IRF7309QPbF
6 www.irf.com
6 Page | |||
ページ | 合計 : 11 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ IRF7309QPBF データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IRF7309QPBF | Power MOSFET ( Transistor ) | International Rectifier |