DataSheet.jp

KT863 PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 KT863
部品説明 Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR
メーカ SIT
ロゴ SIT ロゴ 

Total 3 pages
		

No Preview Available !

KT863 Datasheet, KT863 PDF,ピン配置, 機能
НТЦ СИТ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ
И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ.
РОССИЯ, БРЯНСК
КТ863/БС(x)
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ
N-P-N ТРАНЗИСТОР
ОСОБЕННОСТИ_________
Малая зависимость коэффициента
усиления h21э от температуры
Максимально допустимый
постоянный ток коллектора до 12 А,
импульсный до 15 А.
Максимально допустимое
напряжения коллектор-эмиттер до 160
В (при Rэб=1кОм)
Температура окружающей среды -
минус 60°С ... плюс 130°С
Корпус ТО-220, ТО-263
Корпус ТО-220 (КТ-28)
Типономинал КТ863/БС
Корпус ТО-263
Типономинал КТ863/БС1
1 – База
2 – Коллектор
3 – Эмиттер
________________ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Наименование
параметра,
единица измерения
Обратный ток коллектор-
эмиттер, мА
Буквенное
Норма
обозн.
Не Не
менее более
IкэR - 0.1
Режим
Uкэ = 160 В
Rэб =1 кОм
Температура,
°С
+25
Обратный ток эмиттер-
база, мА
Напряжение насыщения
коллектор эмиттер, В
Напряжение насыщения
база-эмиттер, В
Коэффициент усиления
Iэбо
Uкэнас
-
-
Uбэнас
h21э
-
200
0.1 Uкэ = 80 В
0.1 Uэб = 5В
+25
0.55 Iк = 5А, Iб=0.04А -60…+130
0.4 Iк = 0.27А, Iб=2 мА
0.9 Iк = 0 А, Iб=0.15 А
+25
Iк = 5 А
-60…+130

1 Page





ページ 合計 : 3 ページ
PDF
ダウンロード
[ KT863.PDF ]

共有リンク

Link :

おすすめデータシート

部品番号部品説明メーカ
KT860

There is a function of (KT860 / KT870 / KT880 / KT890 Series) Slotted Optical Switches / Photo Transistor Output.

Optek Technology
Optek Technology
KT860

There is a function of (KT860 - KT890) Slotted Optical Switches Phototransistor Output.

Optek Technology
Optek Technology
KT863

There is a function of Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR.

SIT
SIT
KT863A

There is a function of Silicon NPN Power Transistors.

Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

多くを見つけるデータシート

部品番号部品説明メーカ
82S129

The 82S126 and 82S129 are field programmable, which means that custom patterns are immediately available by following the Signetics Generic fusing procedure. 1K-bit TTL Bipolar PROM, Address access time : 50ns max.

NXP
NXP
D1695

This part is a darlington connection NPN silicon epitaxial transistor. The 2SD1695 is a Darlington connection transistor and incorporates a dumper diode between the collector and emitter and a constant voltage diode and protection elements between the collector and base. This transistor is ideal for drives in solenoid and actuators.

NEC
NEC

www.DataSheet.jp    |   2018   |  メール    |   最新    |   Sitemap