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IPP023N04NG の電気的特性と機能

IPP023N04NGのメーカーはInfineon Technologiesです、この部品の機能は「Power-Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IPP023N04NG
部品説明 Power-Transistor
メーカ Infineon Technologies
ロゴ Infineon Technologies ロゴ 




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IPP023N04NG Datasheet, IPP023N04NG PDF,ピン配置, 機能
Ie]R
"%&$!"#3 Power-Transistor
Features
Q& ( ,  - 7@B( + :? 8 2 ? 5 . ? :? D6BBEAD:3 =6 ) @G6B, EAA=I
Q* E2 =:7:65 2 44@B5:? 8 D@ $     )# 7@BD2 B86D2 AA=:42 D:@? C
Q' 492 ? ? 6=
Q' @B> 2 ==6F6=
Q. =DB2 =@G @? B6C:CD2 ? 46 R 9H"\[#
Q   F2 =2 ? 496 D6CD65
Q) 3 7B66 A=2 D:? 8 + @" , 4@> A=:2 ? D
Q" 2 =@86? 7B66 2 44@B5:? 8 D@ #       
Product Summary
V 9H
R  ,@? >2 H
I9
Type
#)    '  ' !
#) )   '  ' !
IPP023N04N G
IPB023N04N G
,( K
*&+ Z"
1( 6
Package
Marking
E=%ID*.+%+
(*+C(,C
E=%ID**(%+
(*+C(,C
Maximum ratings, 2 DT W   T  E? =6CC@D96BG:C6 CA64:7:65
Parameter
Symbol Conditions
 @? D:? E@EC5B2 :? 4EBB6? D
) E=C65 5B2 :? 4EBB6? D*#
 F2 =2 ? 496 4EBB6? D C:? 8=6 AE=C6+#
 F2 =2 ? 496 6? 6B8I C:? 8=6 AE=C6
!2 D6 C@EB46 F@=D2 86
)# $ , -  2 ? 5 $  ,   
I 9 V =H /  T 8   T
V =H /  T 8 T
I 9$]aY_R
I 6H
E 6H
V =H
T 8   T
T 8   T
I 9    R =H   "
Value
1(
1(
,((
1(
)-(
q*(
Unit
6
Z@
K
+ 6F 
A2 86
  

1 Page





IPP023N04NG pdf, ピン配列
Parameter
Symbol Conditions
IPP023N04N G
IPB023N04N G
min.
Values
typ.
Unit
max.
Dynamic characteristics
#? AED42 A2 4:D2 ? 46
( EDAED42 A2 4:D2 ? 46
+ 6F6BC6 DB2 ? C76B42 A2 4:D2 ? 46
-EB? @? 56=2 I D:> 6
+ :C6 D:> 6
-EB? @7756=2 I D:> 6
2 ==D:> 6
C V__
C \__
8^__
t Q"\[#
t^
t Q"\SS#
tS
V =H /  V 9H  / 
f & " J
V 99  /  V =H / 
I 9    R =  "
!2 D6  92 BT6  92 B2 4D6B:CD:4C.#
!2 D6 D@ C@EB46 492 B86
!2 D6 492 B86 2 DD9B6C9@=5
!2 D6 D@ 5B2 :? 492 B86
, G:D49:? 8 492 B86
!2 D6 492 B86 D@D2 =
!2 D6 A=2 D62 E F@=D2 86
!2 D6 492 B86 D@D2 = CI? 4  -
( EDAED492 B86
Q T_
Q T"`U#
Q TQ V 99  /  I 9   
Q _c
V =H D@ /
QT
V ]YN`RNa
Q T"_e[P#
V 9H / 
V =H D@ /
Q \__
V 99  /  V =H /
Reverse Diode
 :@56 4@? D:? E@EC7@BG2 B5 4EBB6? D
 :@56 AE=C6 4EBB6? D
 :@56 7@BG2 B5 F@=D2 86
+ 6F6BC6 B64@F6BI 492 B86
IH
I H$]aY_R
T 8   T
V H9
V =H /  I <   
T W   T
Q ^^
V G  /  I <4I H
Qi <'Qt    W C
.# , 66 7:8EB6  7@B82 D6 492 B86 A2 B2 > 6D6B567:? :D:@?
%
%
%
%
%
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%
%
%
%
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/+((
*(((
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*/
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,(
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)(((( ]<
*/((
%
% [_
%
%
%
+- % [8
** %
)) %
*, %
1( )*(
,&0 % K
0- % [8
/+ %
% 1( 6
% ,((
(&1+ )&* K
0( % [8
+ 6F 
A2 86 
  


3Pages


IPP023N04NG 電子部品, 半導体
9 Drain-source on-state resistance
R 9H"\[#4S"T W I 9    V =H /
5
IPP023N04N G
IPB023N04N G
10 Typ. gate threshold voltage
V =H"`U#4S"T W V =H4V 9H I 9   #6
4
4
3
 
2 `e]
1
3
2
1
0
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
0
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
11 Typ. capacitances
C 4S"V 9H V =H /  f  & " J
104
8V__
12 Forward characteristics of reverse diode
I <4S"V H9#
A2 B2 > 6D6B T W
103
8\__
103
  T    
102
  T
  T
  T    
102 8^__
101
101
0
+ 6F 
10 20 30
V DS [V]
100
40 0
A2 86 
0.5 1 1.5
V SD [V]
2
  

6 Page



ページ 合計 : 10 ページ
 
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