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RUE003N02のメーカーはROHM Semiconductorです、この部品の機能は「1.8V Drive Nch MOSFET」です。 |
部品番号 | RUE003N02 |
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部品説明 | 1.8V Drive Nch MOSFET | ||
メーカ | ROHM Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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1.8V Drive Nch MOSFET
RUE003N02
Structure
Silicon N-channel
MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
EMT3
Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Low voltage drive (1.8V) makes this device ideal for
portable equipment.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
(1)Source
(2)Gate
(3)Drain
Abbreviated symbol : QT
Applications
Switching
Packaging specifications
Type
Package
Code
Basic ordering unit
(pieces)
Taping
TL
3000
RUE003N02
Equivalent circuit
Drain
Gate
∗2
∗1
∗1 ESD PROTECTION DIODE
∗2 BODY DIODE
Source
Absolute maximum ratings (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Drain-source voltage
VDSS
Gate-source voltage
VGSS
Drain current
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
ID
IDP∗1
PD∗2
Channel temperature
Tch
Range of storage temperature
Tstg
∗1 Pw≤10μs, Duty cycle≤1%
∗2 Each terminal mounted on a recommended land
Limits
20
±8
±300
±600
150
150
−55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
∗ Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
Rth(ch-a) ∗
Limits
833
Unit
°C / W
www.rohm.com
○c 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.05 - Rev.B
1 Page RUE003N02
1000
100
Ta=25°C
VDD=10V
VGS=4V
RG=10Ω
Pulsed
td(off)
10 tf
td(on)
tr
1
0.01 0.1
DRAIN CURRENT : ID (A)
1
Fig.7 Switching characteristics
Switching characteristics measurement circuit
Pulse width
VGS
ID
D.U.T.
RG
VDS
RL
VDD
VGS
50%
10%
VDS 10%
td (on) tr
ton
90%
90%
50%
10%
td (off)
tf
toff
90%
Fig.8 Switching time measurement circuit
Fig.9 Switching time waveforms
Data Sheet
www.rohm.com
○c 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.05 - Rev.B
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ RUE003N02 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
RUE003N02 | 1.8V Drive Nch MOSFET | ROHM Semiconductor |