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IXGT24N170AH1 の電気的特性と機能

IXGT24N170AH1のメーカーはIXYSです、この部品の機能は「High Voltage IGBT」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IXGT24N170AH1
部品説明 High Voltage IGBT
メーカ IXYS
ロゴ IXYS ロゴ 




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IXGT24N170AH1 Datasheet, IXGT24N170AH1 PDF,ピン配置, 機能
High Voltage
IGBTs w/Diode
Preliminary Technical Information
IXGH24N170AH1
IXGT24N170AH1
VCES =
IC25 =
VCE(sat)
tfi(typ) =
1700V
24A
6.0V
40ns
TO-247 (IXGH)
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IICC2950
ICM
SSOA
(RBSOA)
tSC
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
Maximum Ratings
TC = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ
Continuous
Transient
1700
1700
± 20
± 30
V
V
V
V
TTCC
= 25°C
= 90°C
TC = 25°C, 1ms
24
16
75
VCGlaEm=p1e5dVI,nTdVuJc=tiv1e25L°oCa,dRG = 10Ω
0.I8CM
= 50
VCES
TJ = 125°C, VCE = 1200V, VGE = 15V, RG = 22Ω
10
TC = 25°C
250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
A
A
A
A
V
μs
W
°C
°C
°C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
300 °C
260 °C
Mounting Torque (TO-247)
1.13/10
Nm/lb.in.
TO-247
TO-268
6g
4g
Symbol Test Conditions
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = 0.8 • VCES, VGE = 0V
IGES
VCE(sat)
VCE = 0V, VGE = ± 20V
IC = 16A, VGE = 15V, Note 1
Characteristic Values
Min.
Typ.
Max.
1700
3.0 5.0
V
V
TJ = 125°C
100 μA
1.5 mA
±100 nA
4.5 6.0 V
TJ = 125°C
4.8
V
G
CE
C (TAB)
TO-268 (IXGT)
GE
C (TAB)
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
TAB = Collector
Features
z Optimized for Low Conduction and
Switching Losses
z Anti-Parallel Ultra Fast Diode
z International Standard Packages
Advantages
z High Power Density
z Low Gate Drive Requirement
Applications
z Power Inverters
z UPS
z Motor Drives
z SMPS
z PFC Circuits
z Welding Machines
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99413A(05/09)

1 Page





IXGT24N170AH1 pdf, ピン配列
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25ºC
48
44
VGE = 15V
13V
40 11V
9V
36
32
28 7V
24
20
16
12
8
4 5V
0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
VCE - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125ºC
48
44
VGE = 15V
13V
40 11V
9V
36
32
28 7V
24
20
16
12
8 5V
4
0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0
VCE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
9.5
8.5 TJ = 25ºC
7.5 I C = 48A
6.5
5.5
24A
4.5
3.5
12A
2.5
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
VGE - Volts
IXGH24N170AH1
IXGT24N170AH1
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25ºC
VGE = 15V
13V
11V
9V
7V
5V
5 10 15 20 25
VCE - Volts
Fig. 4. Dependence of VCE(sat) on
Junction Temperature
1.8
VGE = 15V
1.6
1.4 I C = 48A
1.2
1.0 I C = 24A
0.8
I C = 12A
0.6
0.4
-50
-25
0 25 50 75 100
TJ - Degrees Centigrade
125
30
150
Fig. 6. Input Admittance
60
55
50
45
40
35
TJ = 125ºC
30 25ºC
25 - 40ºC
20
15
10
5
0
3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5
VGE - Volts
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved


3Pages





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High Voltage IGBT

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