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SVF2N65FGのメーカーはSLです、この部品の機能は「650V N-CHANNEL MOSFET」です。 |
部品番号 | SVF2N65FG |
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部品説明 | 650V N-CHANNEL MOSFET | ||
メーカ | SL | ||
ロゴ | |||
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SVF2N65F/FG/N/MJ 说明书
2A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N65F/FG/N/MJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶
体管采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换
器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 2A,650V,RDS(on)(典型值)=4.1Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
士兰F-Cell工艺
VDMOS产品标识
额定电流标识,采用1-2位数字;
例如:4 代表 4A,10 代表 10A,
08 代表 0.8A
沟道极性标识,N代表N 沟道
产品规格分类
产品名称
SVF2N65F
SVF2N65FG
SVF2N65N
SVF2N65MJ
封装形式
TO-220F-3L
TO-220F-3L
TO-126-3L
TO-251J-3L
无卤
封装外形标识
例如:F:TO-220F; N:TO-126;
MJ:TO-251J
额定耐压值,采用2位数字
例如:60表示600V,65表示650V
特殊功能、规格标识,通常省略
例如:E 表示内置了ESD保护结构
打印名称
SVF2N65F
SVF2N65FG
SVF2N65N
SVF2N65MJ
材料
无铅
无卤
无铅
无铅
包装
料管
料管
袋装
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.6 2012.06.15
共9页 第1页
1 Page SVF2N65F/FG/N/MJ 说明书
源-漏二极管特性参数
参数
符号
测试条件
源极电流
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注:
IS MOS 管中源极、漏极构成的反
ISM 偏 P-N 结
VSD IS=2.0A,VGS=0V
Trr IS=2.0A,VGS=0V,
Qrr dIF/dt=100A/µs(注 2)
1. L=30mH,IAS=2.37A,VDD=60V,RG=25Ω,开始温度 TJ=25°C;
2. 脉冲测试: 脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;
3. 基本上不受工作温度的影响。
最小值
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
368.88
1.08
最大值
2.0
8.0
1.4
--
--
单位
A
V
ns
µC
杭州士兰微电子股份有限公司
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版本号:1.6 2012.06.15
共9页 第3页
3Pages SVF2N65F/FG/N/MJ 说明书
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
参数一致
50KΩ
10V
VDS
12V 200nF
300nF
Qg
Qgs Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
VDS
VGS
RG
10V
开关时间测试电路及波形图
RL
VDD
待测器件
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
RG
10V
tp
VDS
ID
EAS测试电路及波形图
L
EAS =
1
2
LIAS2
BVDSS
BVDSS - VDD
BVDSS
IAS
待测器件
VDD
VDD
ID(t)
tp
VDS(t)
Time
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.6 2012.06.15
共9页 第6页
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PDF ダウンロード | [ SVF2N65FG データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
SVF2N65F | 650V N-CHANNEL MOSFET | SL |
SVF2N65FG | 650V N-CHANNEL MOSFET | SL |