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3LP01SのメーカーはSanyo Semicon Deviceです、この部品の機能は「P-Channel Silicon MOSFET」です。 |
部品番号 | 3LP01S |
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部品説明 | P-Channel Silicon MOSFET | ||
メーカ | Sanyo Semicon Device | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと3LP01Sダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 7 pages
Ordering number : EN6681B
3LP01S
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
3LP01S
Features
• Low ON-resistance
• Ultrahigh-speed switching
• 2.5V drive
P-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
PW≤10μs, duty cycle≤1%
Storage Temperature
Tstg
This product is designed to “ESD immunity < 200V*”, so please take care when handling.
* Machine Model
Ratings
--30
±10
--0.1
--0.4
0.15
150
--55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7013A-013
1.6
0.4 0.8 0.4
3LP01S-TL-E
Product & Package Information
• Package
: SMCP
• JEITA, JEDEC
: SC-75, SOT-416
• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
Packing Type: TL
Marking
1
2
3
0.1 MIN
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : SMCP
TL
Electrical Connection
3
XA
1
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM/41006PE MSIM TB-00002191/12201 TSIM TA-2005 No.6681-1/7
1 Page 3LP01S
--0.10
--0.09
--0.08
--0.07
--3.5V
ID -- VDS
--2.5V
--2.0V
--0.06
--0.05
--0.04
--0.03
--0.02
VGS= --1.5V
--0.01
0
0
30
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT00077
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
25
20
15
--50mA
ID= --30mA
10
5
0
0
100
7
5
--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
IT00079
VGS= --2.5V
3
2
Ta=75°C
25°C
10 --25°C
7
5
3
2
1.0
--0.01
18
23
5 7 --0.1
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- Ta
23
IT00081
16
14
12
10
8
I D=I-D-3=0-m-5A0,mVAG, SV=G--S2=.5-V-4.0V
6
4
2
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT00083
--0.20
VDS= --10V
--0.18
ID -- VGS
--0.16
--0.14
25°C
--0.12
--0.10
--0.08
--0.06
--0.04
--0.02
0
0
100
7
5
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT00078
RDS(on) -- ID
VGS= --4V
3
2
Ta=75°C
25°C
10
7
5 --25°C
3
2
1.0
--0.01
1000
7
5
3
2
23
5 7 --0.1
Drain Current, ID -- A
RDS(on) -- ID
23
IT00080
VGS= --1.5V
100
7
5
3
2
10
--0.1
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
Ta=75°C
--25°C
25°C
23
5 7 --1.0
Drain Current, ID -- mA
| yfs | -- ID
23
IT00082
VDS= --10V
Ta= --25°C
75°C
25°C
0.01
--0.01
23
5 7 --0.1
Drain Current, ID -- A
23
IT00084
No.6681-3/7
3Pages Outline Drawing
3LP01S-TL-E
3LP01S
Land Pattern Example
Mass (g) Unit
0.003
* For reference
mm
0.7
Unit: mm
0.6
0.5 0.5
No.6681-6/7
6 Page | |||
ページ | 合計 : 7 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 3LP01S データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
3LP01C | Ultrahigh-Speed Switching Applications | Sanyo Semicon Device |
3LP01M | P-Channel Silicon MOSFET | Sanyo Semicon Device |
3LP01N | P-Channel Silicon MOSFET | Sanyo Semicon Device |
3LP01S | P-Channel Small Signal MOSFET | ON Semiconductor |