DataSheet.jp

FB15R06KL4B1 の電気的特性と機能

FB15R06KL4B1のメーカーはeupec GmbHです、この部品の機能は「IGBT Module」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 FB15R06KL4B1
部品説明 IGBT Module
メーカ eupec GmbH
ロゴ eupec GmbH ロゴ 




このページの下部にプレビューとFB15R06KL4B1ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 13 pages

No Preview Available !

FB15R06KL4B1 Datasheet, FB15R06KL4B1 PDF,ピン配置, 機能
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Diode Gleichrichter/ diode rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj =25°C
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
TC =80°C
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t - value
TC =80°C
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
tP = 10 ms,
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
Transistor Wechselrichter/ transistor inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
TC =65°C
TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms,
TC =65°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ diode inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I2t - value
tP = 1 ms
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
Transistor Brems-Chopper/ transistor brake-chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Tvj =25°C
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
TC =65 °C
TC = 25 °C
tP = 1 ms,
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC = 25°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
TC =65°C
Diode Brems-Chopper/ diode brake-chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
prepared by: Thomas Passe
approved by: R. Keggenhoff
date of publication: 2003-03-26
revision: 2.1
Vorläufig
preliminary
VRRM
IFRMSM
IRMSmax
IFSM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
800
58
50
448
358
1000
642
600
15
19
30
60
+/- 20V
15
30
25
600
15
19
30
60
+/- 20V
15
30
V
A
A
A
A
A2s
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
V
A
A
A
W
V
A
A
1(12)

1 Page





FB15R06KL4B1 pdf, ピン配列
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Modulinduktivität
stray inductance module
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
TC = 25°C
Diode Wechselrichter/ diode inverter
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
VGE = 0V, Tvj = 25°C, IF =
VGE = 0V, Tvj = 125°C, IF =
IF=INenn,
- diF/dt =
VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR =
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR =
IF=INenn,
- diF/dt =
VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR =
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR =
IF=INenn,
- diF/dt =
VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR =
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR =
Transistor Brems-Chopper/ transistor brake-chopper
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
VGE = 15V, Tvj = 25°C,
VGE = 15V, Tvj = 125°C,
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE = VGE, Tvj = 25°C,
IC =
IC =
IC =
Eingangskapazität
input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
f = 1MHz, Tvj = 25°C
VCE = 25 V, VGE = 0 V
VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE =
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
15 A
15 A
600 A/us
300 V
300 V
600 A/us
300 V
300 V
600 A/us
300 V
300 V
15,0 A
15,0 A
0,4mA
600V
Vorläufig
preliminary
min. typ. max.
LσCE
-
- 40 nH
RCC'+EE'
-
10
- m
min. typ. max.
VF - 1,75 2,15 V
- 1,8 -
V
IRM - 13 -
- 14 -
A
A
Qr - 0,8 - µAs
- 1,4 - µAs
Erec
VCE sat
-
-
min.
-
-
0,14
0,24
typ.
1,95
2,2
-
-
max.
2,55
-
VGE(TO)
4,5
5,5
6,5
mJ
mJ
V
V
V
Cies - 0,8 - nF
- - 5,0 mA
IGES
-
- 400 nA
Diode Brems-Chopper/ diode brake-chopper
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = 25°C,
Tvj = 125°C,
I F = 15A
I F = 15A
NTC-Widerstand/ NTC-thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
Abweichung von R100
deviation of R100
Verlustleistung
power dissipation
B-Wert
B-value
TC = 25°C
TC = 100°C, R100 = 493
TC = 25°C
R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)]
min. typ. max.
VF - 2,15 2,6 V
- 2,25 -
V
min. typ. max.
R25 - 5 - k
R/R
-5
5%
P25 20 mW
B25/50
3375
K
3(12)


3Pages


FB15R06KL4B1 電子部品, 半導体
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB15R06KL4B1
Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)
transfer characteristic inverter (typical)
30
Tj = 25°C
25 Tj = 25°C
IC = f (VGE)
VCE = 20 V
20
15
10
5
0
6,00
7,00
8,00
9,00
10,00
11,00
VGE [V]
Vorläufig
preliminary
12,00
13,00
Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) IF = f (VF)
forward characteristic of FWD inverter (typical)
30
Tj = 25°C
Tj = 125°C
25
20
15
10
5
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
VF [V]
3,00
6(12)

6 Page



ページ 合計 : 13 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ FB15R06KL4B1 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
FB15R06KL4B1

IGBT Module

eupec GmbH
eupec GmbH


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap