DataSheet.jp

CEU30P10 の電気的特性と機能

CEU30P10のメーカーはCETです、この部品の機能は「P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 CEU30P10
部品説明 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
メーカ CET
ロゴ CET ロゴ 




このページの下部にプレビューとCEU30P10ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。
Total 4 pages

No Preview Available !

CEU30P10 Datasheet, CEU30P10 PDF,ピン配置, 機能
CED30P10/CEU30P10
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
-100V, -30A, RDS(ON) = 76m@VGS = -10V.
RDS(ON) = 92m@VGS = -4.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-251 & TO-252 package.
D
D
G
S
CEU SERIES
TO-252(D-PAK)
G
DS
CED SERIES
TO-251(I-PAK)
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
-100
±20
-30
-120
150
1.2
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
1
50
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
2009.Nov
http://www.cet-mos.com
1

1 Page





CEU30P10 pdf, ピン配列
CED30P10/CEU30P10
25
-VGS=10,8,7,6,5V
20
75
25 C
60
15
-VGS=4V
10
5 -VGS=3V
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 1. Output Characteristics
45
30
TJ=125 C
15
-55 C
0
0123456
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
3000
2500
Ciss
2000
1500
1000
500 Coss
Crss
0
0 5 10 15 20 25
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 3. Capacitance
1.3 VDS=VGS
1.2 ID=-250µA
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature( C)
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
2.2 ID=-16A
1.9 VGS=-10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100 -50 0 50 100 150 200
TJ, Junction Temperature( C)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Temperature
VGS=0V
102
101
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
-VSD, Body Diode Forward Voltage (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
3


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ CEU30P10 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
CEU30P10

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET
CET


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap