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CED6355 の電気的特性と機能

CED6355のメーカーはCETです、この部品の機能は「P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 CED6355
部品説明 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
メーカ CET
ロゴ CET ロゴ 




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CED6355 Datasheet, CED6355 PDF,ピン配置, 機能
CED6355/CEU6355
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
-60V, -26A, RDS(ON) = 42m@VGS = -10V.
RDS(ON) = 65m@VGS = -4.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-251 & TO-252 package.
D
D
G
S
CEU SERIES
TO-252(D-PAK)
G
DS
CED SERIES
TO-251(I-PAK)
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
-60
±20
-26
-104
50
0.4
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
2.5
50
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
This is preliminary information on a new product in development now .
Details are subject to change without notice .
1
Rev 1. 2006.Aug
http://www.cetsemi.com

1 Page





CED6355 pdf, ピン配列
CED6355/CEU6355
25
-VGS=10,8,6,4V
20
35
28
15 21
10
-VGS=3V
5
0
0 1 23 4 56
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 1. Output Characteristics
14
25 C
7
TJ=125 C
0
01 2 3
-55 C
45
6
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
3000
2500
2000
Ciss
1500
1000
500 Coss
0 Crss
05
10 15
20 25 30
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 3. Capacitance
1.3
VDS=VGS
1.2 ID=-250µA
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature( C)
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
2.2
ID=-26A
1.9 VGS=-10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100 -50 0 50 100 150 200
TJ, Junction Temperature( C)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Temperature
103 VGS=0V
102
101
100
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8
-VSD, Body Diode Forward Voltage (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
3


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
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[ CED6355 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
CED6355

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET
CET


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