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3DD13007X1 の電気的特性と機能

3DD13007X1のメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「Silicon NPN bipolar transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 3DD13007X1
部品説明 Silicon NPN bipolar transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 




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3DD13007X1 Datasheet, 3DD13007X1 PDF,ピン配置, 機能
产品概述
3DD13007 X1 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13007 X1
R
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
特性好
反向击穿电压
可靠性高
应用
计算机电源
大功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
400
8
80
V
A
W
封装 TO-220AB
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
400
9
8
16
4
8
2
80
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值 典型值
2012
最大值
1.56
62.5
单位
/W
/W
1/4

1 Page





3DD13007X1 pdf, ピン配列
特性曲线
100
安全工作区(单脉冲)
10
1
0.1
0.01
1
5
D C 100μs
Ta=25
1ms
10ms
10 100 1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
Ta=25
2.5
3DD13007 X1
R
Ptot Ta 关系曲线
100
80
With Infinite Heatsink
60
40
20
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
10 Ta= -55
IB=20mA
0
0
2
46
8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=5
1 10
集电极电流 IC (A)
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
1.5
0.1 1
10
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1
Ta=25
Ta=125
0.5
0.1
IC/IB=5
1 10 100
集电极电流 IC (A)
2012
3 /4


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ 3DD13007X1 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
3DD13007X1

Silicon NPN bipolar transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


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