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3DD6012A6 PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD6012A6
部品説明 Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 



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3DD6012A6 Datasheet, 3DD6012A6 PDF,ピン配置, 機能
华润华晶分立器件
NPN 低频放大双极型晶体管
R
3DD6012A6
1 产品概述:
3DD6012A6 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺, 特征参数
分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关速 VCEO
度和可靠性。
产品封装形式:TO-126,符合 RoHS 指令要求。
IC
PtotTC=25℃)
2 产品特点:
TO-126
530
1.2
50
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 反向击穿电压高
● 可靠性高
1
2
3
1. B
2. C
3. E
3 主要用途:
主要用于电子充电器、计算机辅助电源等功率开关电路,
是该类电子产品的核心部件。
内部等效原理图
B
C
V
A
W
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
(含量要求)
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
说明
Pb
Hg
镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴二苯醚
Cd) (Cr(VI)(PBB) PBDE
0.1% 0.1% 0.01% 0.1% 0.1% 0.1%
○○○○○
○○○○○
○○○○○
○○○○○
×○○○○
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
1 页 共 5 2008

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部品番号部品説明メーカ
3DD6012A1

Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

Huajing Microelectronics
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3DD6012A6

Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

Huajing Microelectronics
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