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CEB16N10 の電気的特性と機能

CEB16N10のメーカーはCETです、この部品の機能は「N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 CEB16N10
部品説明 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
メーカ CET
ロゴ CET ロゴ 




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CEB16N10 Datasheet, CEB16N10 PDF,ピン配置, 機能
CEP16N10/CEB16N10
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
100V, 15.2A, RDS(ON) = 120m@VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-220 & TO-263 package.
D
D
G
S
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
100
±20
15.2
60
60
0.48
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 175
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
2.5
50
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
Details are subject to change without notice .
1
Rev 1. 2010.Jan.
http://www.cet-mos.com

1 Page





CEB16N10 pdf, ピン配列
CEP16N10/CEB16N10
24
VGS=10,9,8V
20
VGS=7V
16
12 VGS=6V
8
4 VGS=5V
0
0 2 4 6 8 10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 1. Output Characteristics
25
20
15
10
5 25 C
TJ=125 C
-55 C
0
1234567
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
800
700
600 Ciss
500
400
300
200 Coss
100 Crss
0
0 5 10 15 20 25
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Figure 3. Capacitance
1.3 VDS=VGS
1.2 ID=250µA
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature( C)
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
2.2 ID=7A
1.9 VGS=10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100 -50 0 50 100 150 200
TJ, Junction Temperature( C)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Temperature
VGS=0V
101
100
10-1
0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 2.2
VSD, Body Diode Forward Voltage (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
3


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
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[ CEB16N10 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
CEB16N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET
CET
CEB16N10L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET
CET


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