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IRF7815PbF の電気的特性と機能

IRF7815PbFのメーカーはInternational Rectifierです、この部品の機能は「Power MOSFET ( Transistor )」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IRF7815PbF
部品説明 Power MOSFET ( Transistor )
メーカ International Rectifier
ロゴ International Rectifier ロゴ 




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IRF7815PbF Datasheet, IRF7815PbF PDF,ピン配置, 機能
Applications
l Synchronous MOSFET for Notebook
Processor Power
l Synchronous Rectifier MOSFET for
Isolated DC-DC Converters in
Networking Systems
Benefits
l Very Low RDS(on) at 10V VGS
l Low Gate Charge
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l 20V VGS Max. Gate Rating
PD - 96284
IRF7815PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDSS
RDS(on) max
Qg (typ.)
:150V 43m @VGS = 10V 25nC
S1
S2
S3
G4
AA
8D
7D
6D
5D
Top View
SO-8
Absolute Maximum Ratings
VDS
VGS
ID @ TA = 25°C
ID @ TA = 70°C
IDM
PD @TA = 25°C
PD @TA = 70°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
cContinuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current
fPower Dissipation
fPower Dissipation
TJ
TSTG
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
gRθJL Junction-to-Drain Lead
fRθJA Junction-to-Ambient
Max.
150
± 20
5.1
4.1
41
2.5
1.6
0.02
-55 to + 150
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
V
A
W
W/°C
°C
Units
°C/W
Notes  through … are on page 9
www.irf.com
1
12/01/09

1 Page





IRF7815PbF pdf, ピン配列
IRF7815PbF
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
1
0.1
0.01
0.1
5.0V
60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C
1 10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
5.0V
1
0.1
0.1
60µs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
1 10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
VDS = 50V
60µs PULSE WIDTH
10
TJ = 150°C
1
TJ = 25°C
2.5
ID = 5.1A
VGS = 10V
2.0
1.5
1.0
0.1
3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3


3Pages


IRF7815PbF 電子部品, 半導体
IRF7815PbF
100
90 ID = 5.1A
80
TJ = 125°C
70
60
50
TJ = 25°C
40
30
20
4 6 8 10 12 14 16 18 20
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance Vs. Gate Voltage
15V
2500
2000
1500
ID
TOP 0.30A
0.44A
BOTTOM 3.1A
1000
500
0
25 50 75 100 125 150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 13c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
V(BR)DSS
tp
VDS
L
DRIVER
RG
2V0GVS
tp
D.U.T
IAS
0.01
+
-
VDD
A
Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit
VDS
RD
VGS
RG
D.U.T.
+- VDD
VGS
Pulse Width ≤ 1 µs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 15a. Switching Time Test Circuit
6
IAS
Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
Fig 15b. Switching Time Waveforms
www.irf.com

6 Page



ページ 合計 : 9 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IRF7815PbF データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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Power MOSFET ( Transistor )

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