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L2SC2411KRLT1G の電気的特性と機能

L2SC2411KRLT1GのメーカーはLeshan Radio Companyです、この部品の機能は「Medium Power Transistor NPN silicon」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 L2SC2411KRLT1G
部品説明 Medium Power Transistor NPN silicon
メーカ Leshan Radio Company
ロゴ Leshan Radio Company ロゴ 




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L2SC2411KRLT1G Datasheet, L2SC2411KRLT1G PDF,ピン配置, 機能
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Medium Power Transistor
NPN silicon
FEATURE
ƽEpitaxial planar type
ƽComplementary to L2SA1036K
www.DataSheet4U.ƽcoPmb-Free package is available
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
L2SC2411KPLT1
CP
3000/Tape&Reel
L2SC2411KPLT1G
(Pb-Free)
CP
3000/Tape&Reel
L2SC2411KQLT1
CQ
3000/Tape&Reel
L2SC2411KQLT1G
(Pb-Free)
CQ
3000/Tape&Reel
L2SC2411KRLT1
CR
3000/Tape&Reel
L2SC2411KRLT1G
(Pb-Free)
CR
3000/Tape&Reel
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
40
32
5
0.5
0.2
150
-55~+150
*PC must not be exceeded.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA= 25°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltgae
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collcetor-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
hFE values are classified as follows:
Item P Q R
hFE
82~180 120~270 180~390
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
40
32
5
-
-
82
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
250
6.0
Unit
V
V
V
A*
W
°C
°C
Max.
-
-
-
1
1
390
0.4
-
-
Unit
V
V
V
µA
µA
-
V
MHz
pF
L2SC2411K*LT1
3
1
2
SOT– 23 (TO–236AB)
1
BASE
3
COLLECTOR
2
EMITTER
Conditions
IC=100µA
IC=1mA
IE=100µA
VCB=20V
VEB=4V
VCE=3V
IC/IB=500mA/50mA
VCE=5V,IE=-20mA,f=100MHz
VCB=10V,IE=0A,f=1MHz
L2SC2411K*LT1-1/4

1 Page





L2SC2411KRLT1G pdf, ピン配列
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Electrical characteristic curves(TA = 25°C)
L2SC2411K*LT1
1000
500
www.DataSheet4U.com
Ta
= 100O C
200 75O C
50O C
100 25O C
0O C
50 25O C
50O C
VCE = 3V
20
10
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20 50 100 200 500 1000
COLLECTOR CURRENT : IC(mA)
Fig.5 DC current gain vs. collector current
500 Ta = 25 OC
V CE = 5V
200
100
50
0.5 1
2
5 10 20
50
EMITTER CURRENT : IE(mA)
Fig.6 Gain bandwidth product vs. emitter current
50
Cib
20
Ta = 25OC
f= 1MHz
IE =0A
IC = 0A
10 Cob
5
2
0.5 1 2
5 10 20
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCE(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE: VEB(V)
Fig.7
Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
50
L2SC2411K*LT1-3/4


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ L2SC2411KRLT1G データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
L2SC2411KRLT1

Medium Power Transistor NPN silicon

Leshan Radio Company
Leshan Radio Company
L2SC2411KRLT1G

Medium Power Transistor NPN silicon

Leshan Radio Company
Leshan Radio Company


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