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L2SC2411KRLT1 の電気的特性と機能

L2SC2411KRLT1のメーカーはLeshan Radio Companyです、この部品の機能は「Medium Power Transistor NPN silicon」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 L2SC2411KRLT1
部品説明 Medium Power Transistor NPN silicon
メーカ Leshan Radio Company
ロゴ Leshan Radio Company ロゴ 




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L2SC2411KRLT1 Datasheet, L2SC2411KRLT1 PDF,ピン配置, 機能
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Medium Power Transistor
NPN silicon
FEATURE
ƽEpitaxial planar type
ƽComplementary to L2SA1036K
www.DataSheet4U.ƽcoPmb-Free package is available
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
L2SC2411KPLT1
CP
3000/Tape&Reel
L2SC2411KPLT1G
(Pb-Free)
CP
3000/Tape&Reel
L2SC2411KQLT1
CQ
3000/Tape&Reel
L2SC2411KQLT1G
(Pb-Free)
CQ
3000/Tape&Reel
L2SC2411KRLT1
CR
3000/Tape&Reel
L2SC2411KRLT1G
(Pb-Free)
CR
3000/Tape&Reel
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
40
32
5
0.5
0.2
150
-55~+150
*PC must not be exceeded.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA= 25°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltgae
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collcetor-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
hFE values are classified as follows:
Item P Q R
hFE
82~180 120~270 180~390
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
40
32
5
-
-
82
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
250
6.0
Unit
V
V
V
A*
W
°C
°C
Max.
-
-
-
1
1
390
0.4
-
-
Unit
V
V
V
µA
µA
-
V
MHz
pF
L2SC2411K*LT1
3
1
2
SOT– 23 (TO–236AB)
1
BASE
3
COLLECTOR
2
EMITTER
Conditions
IC=100µA
IC=1mA
IE=100µA
VCB=20V
VEB=4V
VCE=3V
IC/IB=500mA/50mA
VCE=5V,IE=-20mA,f=100MHz
VCB=10V,IE=0A,f=1MHz
L2SC2411K*LT1-1/4

1 Page





L2SC2411KRLT1 pdf, ピン配列
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Electrical characteristic curves(TA = 25°C)
L2SC2411K*LT1
1000
500
www.DataSheet4U.com
Ta
= 100O C
200 75O C
50O C
100 25O C
0O C
50 25O C
50O C
VCE = 3V
20
10
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20 50 100 200 500 1000
COLLECTOR CURRENT : IC(mA)
Fig.5 DC current gain vs. collector current
500 Ta = 25 OC
V CE = 5V
200
100
50
0.5 1
2
5 10 20
50
EMITTER CURRENT : IE(mA)
Fig.6 Gain bandwidth product vs. emitter current
50
Cib
20
Ta = 25OC
f= 1MHz
IE =0A
IC = 0A
10 Cob
5
2
0.5 1 2
5 10 20
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCE(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE: VEB(V)
Fig.7
Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
50
L2SC2411K*LT1-3/4


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ L2SC2411KRLT1 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
L2SC2411KRLT1

Medium Power Transistor NPN silicon

Leshan Radio Company
Leshan Radio Company
L2SC2411KRLT1G

Medium Power Transistor NPN silicon

Leshan Radio Company
Leshan Radio Company
L2SC2411KRLT3G

Medium Power Transistor

Leshan Radio Company
Leshan Radio Company


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