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IRF8113GPbF の電気的特性と機能

IRF8113GPbFのメーカーはInternational Rectifierです、この部品の機能は「Power MOSFET ( Transistor )」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IRF8113GPbF
部品説明 Power MOSFET ( Transistor )
メーカ International Rectifier
ロゴ International Rectifier ロゴ 




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IRF8113GPbF Datasheet, IRF8113GPbF PDF,ピン配置, 機能
Applications
l Synchronous MOSFET for Notebook
Processor Power
l Synchronous Rectifier MOSFET for
Isolated DC-DC Converters in
Networking Systems
l Lead-Free
l Halogen-Free
Benefits
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Low Gate Charge
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l 100% Tested for RG
PD - 96251
IRF8113GPbF
VDSS
30V
HEXFET® Power MOSFET
RDS(on) max
Qg Typ.
:5.6m @VGS = 10V 24nC
S1
S2
S3
G4
AA
8D
7D
6D
5D
Top View
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
VDS Drain-to-Source Voltage
VGS
ID @ TA = 25°C
ID @ TA = 70°C
IDM
PD @TA = 25°C
PD @TA = 70°C
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
cContinuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current
fPower Dissipation
fPower Dissipation
TJ
TSTG
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
gRθJL Junction-to-Drain Lead
fRθJA Junction-to-Ambient
Max.
30
± 20
17.2
13.8
135
2.5
1.6
0.02
-55 to + 150
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
V
A
W
W/°C
°C
Units
°C/W
Notes  through … are on page 10
www.irf.com
1
07/09/09

1 Page





IRF8113GPbF pdf, ピン配列
IRF8113GPbF
1000
100
VGS
TOP
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
1000
100
VGS
TOP
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
10
1
0.01
2.5V
20µs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
0.1 1 10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 1. Typical Output Characteristics
2.5V
10
1
0.01
20µs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1 1 10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
TJ = 150°C
TJ = 25°C
10
1
2.5
VDS = 15V
20µs PULSE WIDTH
3.0 3.5
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
2.0
ID = 16.6A
VGS = 10V
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3


3Pages


IRF8113GPbF 電子部品, 半導体
IRF8113GPbF
15V
VDS
L
DRIVER
RG
2V0GVS
tp
D.U.T
IAS
0.01
+
-
VDD
A
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V(BR)DSS
tp
IAS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K
12V .2µF
.3µF
D.U.T.
+
-VDS
VGS
3mA
IG ID
Current Sampling Resistors
Fig 13. Gate Charge Test Circuit
6
200
ID
TOP 7.3A
160 8.2A
BOTTOM 13.3A
120
80
40
0
25
50 75 100 125
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
150
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
LD
VDS
+
VDD -
VGS
Pulse Width < 1µs
Duty Factor < 0.1%
D.U.T
Fig 14a. Switching Time Test Circuit
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
Fig 14b. Switching Time Waveforms
www.irf.com

6 Page



ページ 合計 : 10 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IRF8113GPbF データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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