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L2SB1197KRLT3GのメーカーはLeshan Radio Companyです、この部品の機能は「Low Frequency Transistor」です。 |
部品番号 | L2SB1197KRLT3G |
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部品説明 | Low Frequency Transistor | ||
メーカ | Leshan Radio Company | ||
ロゴ | |||
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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Low Frequency Transistor
L2SB1197KQLT1G Series
PNP Silicon
S-L2SB1197KQ LT1G Series
FEATURE
ƽHigh current capacity in compact package.
IC = í0.8A.
3
ƽEpitaxial planar type.
ƽNPN complement: L2SD1781K
1
ƽWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
ƽS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
2
SOT– 23 (TO–236AB)
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
L2SB1197KQLT1G
S-L2SB1197KQLT1G
L2SB1197KQLT3G
S-L2SB1197KQLT3G
L2SB1197KRLT1G
S-L2SB1197KRLT1G
L2SB1197KRLT3G
S-L2SB1197KRLT3G
MAXIMUM RATINGS(Ta=25qC)
Marking
AHQ
AHQ
AHR
AHR
Shipping
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
−40
−32
−5
−0.8
0.2
150
−55 to 150
Unit
V
V
V
A
W
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25qC)
Parameter
Symbol Min.
Collector-base breakdown voltage BVCBO −40
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO −32
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO −5
Collector cutoff current
ICBO
−
Emitter cutoff current
IEBO
−
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) −
DC current transfer ratio
hFE 120
Transition frequency
fT −
Output capacitance
Cob −
Typ. Max. Unit
−−V
−−V
−−V
− −0.5 µA
− −0.5 µA
− −0.5
V
− 390 −
200 − MHz
12 30 pF
hFE values are classified as follows :
Item(*)
Q
R
hFE 120~270 180~390
1
BASE
3
COLLECTOR
2
EMITTER
Conditions
IC= −50µA
IC= −1mA
IE= −50µA
VCB= −20V
VEB= −4V
IC/IB= −0.5A/ −50mA
VCE= −3V, IC= −100mA
VCE= −5V, IE=50mA, f=100MHz
VCB= −10V, IE=0A, f=1MHz
Rev.O 1/3
1 Page LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2SB1197KQLT1G Series
S-L2SB1197KQLT1G Series
A
L
3
BS
12
VG
C
D
H
K
SOT-23
J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
INCHES
MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A 0.1102 0.1197 2.80 3.04
B 0.0472 0.0551 1.20 1.40
C 0.0350 0.0440 0.89 1.11
D 0.0150 0.0200 0.37 0.50
G 0.0701 0.0807 1.78 2.04
H 0.0005 0.0040 0.013 0.100
J 0.0034 0.0070 0.085 0.177
K 0.0140 0.0285 0.35 0.69
L 0.0350 0.0401 0.89 1.02
S 0.0830 0.1039 2.10 2.64
V 0.0177 0.0236 0.45 0.60
0.037
0.95
0.035
0.9
0.037
0.95
0.079
2.0
0.031
0.8
inches
mm
Rev.O 3/3
3Pages | |||
ページ | 合計 : 3 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ L2SB1197KRLT3G データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
L2SB1197KRLT3G | Low Frequency Transistor | Leshan Radio Company |