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3DA2396 PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DA2396
部品説明 SILICON NPN TRANSISTOR
メーカ FOSHAN BLUE ROCKET
ロゴ FOSHAN BLUE ROCKET ロゴ 

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3DA2396 Datasheet, 3DA2396 PDF,ピン配置, 機能
2SD2396(3DA2396)
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途: 用于低频率功率放大。
Purpose: Low frequency power amplifier.
特点:直流电流增益高,饱和压降低,集电极耗散功率大,,安全工作区宽。
Features: High DC current gain),low VCE(sat),large collector power dissipation,wide SOA.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值 单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO 80 V
VCEO 60 V
VEBO 6.0 V
IC 3.0 A
ICP 6.0 A
PC(Ta=25℃)
2.0 W
PC(Tc=25℃)
30 W
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
测试条件
Test condition
IC=50μA
IC=1.0mA
IE=50μA
VCB=80V
IE=0
VEB=6.0V
IC=0
VCE=4.0V
IC=500mA
IC=2.0A
IB=0.05A
IC=2.0A
IB=0.05A
VCE=5.0V IC=0.2A f=10MHz
VCB=10V IE=0 f=1.0MHz
最小值
Min
80
60
6.0
400
数值
Rating
典型值
Typ
1000
0.3
40
55
最大值
Max
100
100
2000
0.8
1.5
单位
Unit
μA
μA
V
V
MHz
pF
hFE 分档/hFE Classifications: H: 400~800 J: 600~1200
K: 1000~2000
佛山市蓝箭电子股份有限公司
FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.

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3DA2396

SILICON NPN TRANSISTOR

FOSHAN BLUE ROCKET
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