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PDF D2110 Data sheet ( 特性 )
| 部品番号 | D2110 |
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| 部品説明 | 2SD2110 | ||
| メーカ | Inchange Semiconductor | ||
| ロゴ |  |
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INCHANGE Semiconductor
www.DataSheet4U.com
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD2110
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 2A
·High DC Current Gain
: hFE= 1000(Min) @ IC= 2A, VCE= 3V
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
i.cnSYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
.iscsemVCBO
Collector-Base Voltage
80 V
wwwVCEO
Collector-Emitter Voltage
80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
4A
ICM Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@ Ta=25℃
TJ Junction Temperature
8A
25
W
2
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc Website：www.iscsemi.cn
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| 部品番号 | 部品説明 | メーカ |
| D2110 | 2SD2110 | Inchange Semiconductor |
| D2111 | 2SD2111 |  Hitachi Semiconductor |
| D2114 | (D2114 / D2115) RAM |  Intel |
| D2115 | (D2114 / D2115) RAM | Intel |