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PDF SS8550 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | SS8550 | |
| Descripción | PNP Silicon General Purpose Transistor | |
| Fabricantes | SeCoS | |
| Logotipo |  |
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Elektronische Bauelemente
SS8550
PNP Silicon
General Purpose Transistor
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
z Power dissipation
PCM : 0.3 W
1
Base
z Collector Current
ICM : - 1.5 A
z Collector-base voltage
V(BR)CBO : - 40 V
z Operating & storage junction temperature
TJ, TSTG : - 55°C ~ + 150°C
Collector
3
2
Emitter
1
Base
3 Collector
2
Emitter
A
L
3
Top View
12
VG
BS
D
K
J
C
H
SOT-23
Dim Min Max
A 2.800 3.040
B 1.200 1.400
C 0.890 1.110
D 0.370 0.500
G 1.780 2.040
H 0.013 0.100
J 0.085 0.177
K 0.450 0.600
L 0.890 1.020
S 2.100 2.500
V 0.450 0.600
All Dimension in mm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS at Ta = 25°C
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
VCE(sat)
VBE(sat)1
*hFE1
*hFE2
fT
COB
Min.
-40
-25
-5
-
-
-
-
-
120
40
100
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.1
0.5
1.2
350
-
-
20
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
-
-
MHz
pF
Test Conditions
Ic = 100μA, IE = 0
Ic = -0.1mA, IB = 0
IE = -100μA, IC = 0
VCB = -40 V, IE = 0
VCE = -20V, IB = 0
VEB = -5V, IC = 0
IC = -800 mA, IB = -80mA
IC = -800 mA, IB = -80mA
VCE= -1V, IC=-100mA
VCE = -1V, IC = -800mA
VCE = -10V, IC = -50mA, f = 30MHz
VCB= -10V, IE=0, f=1MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
L
Range
120 - 200
Marking
H
200-350
Y2
J
300-400
01-June-2005 Rev. B
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| PDF Descargar | [ Datasheet SS8550.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SS8550 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |  Fairchild |
| SS8550 | Plastic-Encapsulate Transistors PNP Silicon |  Weitron Technology |
| SS8550 | Silicon Epitaxial Planar Transistor |  Galaxy Semi-Conductor |
| SS8550 | TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors |  Daya Electric |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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