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1N5712のメーカーはM-Pulse Microwaveです、この部品の機能は「General Purpose Schottky Diodes」です。 |
部品番号 | 1N5712 |
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部品説明 | General Purpose Schottky Diodes | ||
メーカ | M-Pulse Microwave | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと1N5712ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 2 pages
General Purpose Schottky Diodes
FEATURES
Fast switching-PSEC
High breakdown voltage
Low cost - H-P equivalents
ENVIRONMENTAL RATINGS
(Maximum)
Operating Temperature. - - - - - - - -65°C to+200°C
Storage Temperature - - - - - - - - - -65°C to+200°C
Power Dissipation @ 25°C - - - - - - 100mWDerate
Linearly to zero at150°C
Soldering Temperature - - - - - 230°C for 5 seconds
G1
105
*(Optional Package)
C1
C21
Electrical Specifications @ 25 ºC - Single Diodes
PART CASE
NUMBER STYLE
MP 2087
MP 2097
MP 2810
MP 2811
1N5712
1N5713
MP2835
MP2836
MP2800
MP2801
1N5711
C1
C1
G1
G1
G1
G1
G1
C21
G1
C1
G1
VB (Min)
IR = 10 ∝A
(Volts)
20
15
20
15
20
15
8(1)
8(1)
70
70
70
CT (Max)V VF (Max)I
f = 1 MHz IF = 1 mA
(pF) (Volts)
1.1 0.41
1.1 0.41
1.2 0.41
1.2 0.41
1.2 0.55
1.2 0.41
1.0 0.34
0.9 0.34
2.0 0.41
1.9 0.41
2.0 0.41
F (Min)
VF = 1.0 Volt
(mA)
35
20
35
20
35
20
10(2)
10(2)
15
15
15
IR (Max) @ R
( nA) (Volts)
100 15
100 8
100 15
100 8
100 15
100 8
100 1
100 1
200 50
200 50
200 50
Lifetime(Max)
(pSec) (3)
IF = 3mA
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
High Conductance Diodes
MP2232 G1
15
3.5(1)
.30
MP2233 C1
15
3.5(1)
.30
150
1000
5
150
1000
5
100
100
Note
(1)
:
V (min)
B
measured
with
I=
R
100
µA
Note (2) : IF(min) measured withVF = 0.45v
Note (3) : Krakauer method
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 1N5712 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
1N5711 | SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE | STMicroelectronics |
1N5711 | SCHOTTKY BARRIER DIODES | Compensated Deuices Incorporated |
1N5711 | SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE | Diodes Incorporated |
1N5711 | Schottky Diodes | General Semiconductor |