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IKW50N65F5のメーカーはInfineon Technologiesです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
部品番号 | IKW50N65F5 |
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部品説明 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
メーカ | Infineon Technologies | ||
ロゴ | |||
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IGBT
Highspeed5FASTIGBTinTRENCHSTOPTM5technologycopackedwithRAPID1
fastandsoftantiparalleldiode
IKW50N65F5
650VDuoPackIGBTandDiode
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page IKW50N65F5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17
3 Rev.1.1,2012-11-09
3Pages IKW50N65F5
Highspeedswitchingseriesfifthgeneration
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
td(on)
Tvj=25°C,
- 19 - ns
tr
td(off)
VCC=400V,IC=6.0A,
VGE=0.0/15.0V,
rG=12.0Ω,Lσ=30nH,
- 4 - ns
- 195 - ns
tf
Eon
Cσ=30pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
- 10 - ns
- 0.11 - mJ
Eoff diode reverse recovery.
- 0.04 - mJ
Ets - 0.15 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=25°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=25°C,
VR=400V,
IF=25.0A,
diF/dt=1200A/µs
Tvj=25°C,
VR=400V,
IF=6.0A,
diF/dt=1200A/µs
- 52 - ns
- 0.55 - µC
- 16.5 - A
- -450 - A/µs
- 32 - ns
- 0.26 - µC
- 13.3 - A
- -1619 - A/µs
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=150°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
Tvj=150°C,
VCC=400V,IC=25.0A,
VGE=0.0/15.0V,
rG=12.0Ω,Lσ=30nH,
Cσ=30pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode reverse recovery.
Tvj=150°C,
VCC=400V,IC=6.0A,
VGE=0.0/15.0V,
rG=12.0Ω,Lσ=30nH,
Cσ=30pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode reverse recovery.
Value
Unit
min. typ. max.
- 20 - ns
- 15 - ns
- 202 - ns
- 3 - ns
- 0.68 - mJ
- 0.21 - mJ
- 0.89 - mJ
- 18 - ns
- 5 - ns
- 245 - ns
- 12 - ns
- 0.18 - mJ
- 0.06 - mJ
- 0.24 - mJ
6 Rev.1.1,2012-11-09
6 Page | |||
ページ | 合計 : 17 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IKW50N65F5 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
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