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IKD15N60RFのメーカーはInfineon Technologiesです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
部品番号 | IKD15N60RF |
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部品説明 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
メーカ | Infineon Technologies | ||
ロゴ | |||
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IGBT
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage
IKD15N60RF
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page IKD15N60RF
TRENCHSTOPTMRC-DrivesFastSeries
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17
3 Rev.2.3,2014-03-12
3Pages IKD15N60RF
TRENCHSTOPTMRC-DrivesFastSeries
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=25°C
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
Tvj=25°C,
VCC=400V,IC=15.0A,
VGE=0.0/15.0V,
rG=15.0Ω,Lσ=50nH,
Cσ=34pF
Lσ,CσfromFig.E
min.
Value
typ.
max. Unit
- 13 - ns
- 15 - ns
- 160 - ns
- 17 - ns
- 0.27 - mJ
- 0.25 - mJ
- 0.52 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=25°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=25°C,
VR=400V,
IF=15.0A,
diF/dt=1030A/µs
- 74 - ns
- 0.42 - µC
- 13.2 - A
- -211 - A/µs
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=175°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Tvj=175°C,
VCC=400V,IC=15.0A,
VGE=0.0/15.0V,
rG=15.0Ω,Lσ=50nH,
Cσ=34pF
Lσ,CσfromFig.E
min.
Value
typ.
max. Unit
- 13 - ns
- 17 - ns
- 173 - ns
- 20 - ns
- 0.45 - mJ
- 0.33 - mJ
- 0.78 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=175°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=175°C,
VR=400V,
IF=15.0A,
diF/dt=880A/µs
- 142 - ns
- 1.00 - µC
- 16.6 - A
- -133 - A/µs
6 Rev.2.3,2014-03-12
6 Page | |||
ページ | 合計 : 16 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IKD15N60RF データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IKD15N60R | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon Technologies |
IKD15N60RA | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |
IKD15N60RF | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon Technologies |
IKD15N60RFA | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |