DataSheet.jp

IKD06N60R の電気的特性と機能

IKD06N60RのメーカーはInfineon Technologiesです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IKD06N60R
部品説明 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
メーカ Infineon Technologies
ロゴ Infineon Technologies ロゴ 




このページの下部にプレビューとIKD06N60Rダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 16 pages

No Preview Available !

IKD06N60R Datasheet, IKD06N60R PDF,ピン配置, 機能
IGBT
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage
IKD06N60R
600VTRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
Datasheet
IndustrialPowerControl

1 Page





IKD06N60R pdf, ピン配列
IKD06N60R
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
3 Rev.2.5,2014-03-12


3Pages


IKD06N60R 電子部品, 半導体
IKD06N60R
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
DiodeCharacteristic,atTvj=25°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=25°C,
VR=400V,
IF=6.0A,
diF/dt=800A/µs
- 68 - ns
- 0.37 - µC
- 12.0 - A
- -211 - A/µs
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=175°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Tvj=175°C,
VCC=400V,IC=6.0A,
VGE=0.0/15.0V,
rG=23.0,Lσ=60nH,
Cσ=40pF
Lσ,CσfromFig.E
min.
Value
typ.
max. Unit
- 12 - ns
- 10 - ns
- 164 - ns
- 171 - ns
- 0.20 - mJ
- 0.36 - mJ
- 0.56 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=175°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=175°C,
VR=400V,
IF=6.0A,
diF/dt=800A/µs
- 74 - ns
- 0.80 - µC
- 17.0 - A
- -237 - A/µs
6 Rev.2.5,2014-03-12

6 Page



ページ 合計 : 16 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ IKD06N60R データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
IKD06N60R

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

Infineon Technologies
Infineon Technologies
IKD06N60RA

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

Infineon Technologies
Infineon Technologies
IKD06N60RF

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

Infineon Technologies
Infineon Technologies
IKD06N60RFA

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

Infineon
Infineon


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap