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IKD06N60RのメーカーはInfineon Technologiesです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
部品番号 | IKD06N60R |
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部品説明 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
メーカ | Infineon Technologies | ||
ロゴ | |||
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IGBT
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage
IKD06N60R
600VTRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page IKD06N60R
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
3 Rev.2.5,2014-03-12
3Pages IKD06N60R
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
DiodeCharacteristic,atTvj=25°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=25°C,
VR=400V,
IF=6.0A,
diF/dt=800A/µs
- 68 - ns
- 0.37 - µC
- 12.0 - A
- -211 - A/µs
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=175°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Tvj=175°C,
VCC=400V,IC=6.0A,
VGE=0.0/15.0V,
rG=23.0Ω,Lσ=60nH,
Cσ=40pF
Lσ,CσfromFig.E
min.
Value
typ.
max. Unit
- 12 - ns
- 10 - ns
- 164 - ns
- 171 - ns
- 0.20 - mJ
- 0.36 - mJ
- 0.56 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=175°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=175°C,
VR=400V,
IF=6.0A,
diF/dt=800A/µs
- 74 - ns
- 0.80 - µC
- 17.0 - A
- -237 - A/µs
6 Rev.2.5,2014-03-12
6 Page | |||
ページ | 合計 : 16 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IKD06N60R データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IKD06N60R | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon Technologies |
IKD06N60RA | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon Technologies |
IKD06N60RF | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon Technologies |
IKD06N60RFA | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |