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AW3206 の電気的特性と機能

AW3206のメーカーはAWINICです、この部品の機能は「Integrated charge P-MOSFET lithium-ion battery protection controller」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 AW3206
部品説明 Integrated charge P-MOSFET lithium-ion battery protection controller
メーカ AWINIC
ロゴ AWINIC ロゴ 




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AW3206 Datasheet, AW3206 PDF,ピン配置, 機能
AW3206 产品手册
2010 8 V1.0
集成充电 P-MOSFET 的锂离子电池充电保护控制器
特性
描述
y 输入过压保护
y 输入限流保护
y 锂离子电池过压保护
y 输出碰地保护
y 集成充电 P-MOSFET
y 内置专有的 K-ChargeTM 技术,可根据芯片温
度智能调整输出电流
y 内置过温保护
y ESD 保护:±8KVHBM
y 纤小的 DFN2x2-8L 封装
应用
y 蜂窝电话
y 数码相机
y PDAMP3
AW3206 是一款高集成度的锂离子电池
充电保护控制器。AW3206 持续检测输入电
压和锂离子电池电压,若输入电压超过保护阈
值电压且持续时间超过 100ns,则内部功率
P-MOSFET 关闭,CHRIN 电压拉低。若锂离
子电池电压超过保护阈值电压,则内置充电
P-MOSFET 关闭。AW3206 内置限流保护电
路,充电电流会限制在安全的范围内。
AW3206 内置专有的 K-ChargeTM 技术,可根
据芯片温度智能调整输出电流,以保证在充电
期间整个充电系统的安全。
AW3206 内部集成了充电 P-MOSFET
可省去手机充电系统中的外部充电
P-MOSFET 和肖特基二极管。AW3206 具有
防电流反灌功能,当 CHRIN 电压降低至低于
OUT 电压,充电 P-MOSFET 关闭,防止电
流从锂离子电池反灌至 AW3206
AW3206 采用纤小的 DFN2x2-8L 封装,
额定的工作范围为-40℃至 85℃。
引脚分布及标记图
1 AW3206 引脚分布及标记图
版权所有© 2010 上海艾为电子技术有限公司
1 页 共 12

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AW3206 pdf, ピン配列
推荐工作条件
参数
电源电压 ACIN
OUT 引脚输出电流
结温 TJ
AW3206 产品手册
2010 8 V1.0
范围
4.4V to 10 V
0 to 1A
-40to 125
电气特性
测试条件:TA=60ACIN=5.0VVBAT=3.8V(除非特别说明)。
参数
条件
最小
ACIN
IACIN
静态电流
VPOR
上电复位电压
Vhys(POR)
上电复位迟滞电压
TBLK
上电复位延时
输入与输出之间导通电阻
IOUT=0AICHRIN=0A
ACIN 0V 升高至 3V
ACIN 3V 降低至 0V
ACIN OUT 之间导通电阻
CHRIN OUT 之间导通电阻
IOUT=0.7AACIN=5.0V
GATDRV=0V
IOUT=0.7AACIN=5.0V
GATDRV=0V
输入过压保护
VOVP
输入过压保护
Vhys(OVP)
OVP 迟滞电压
TDGL(OVP)
OVP 去毛刺时间
TREC(OVP)
OVP 撤消延时
输入限流保护
ACIN 上升
IOCP 限流电流
ISHORT
输出碰地限流电流
电池过压保护
VBOVP
电池过压保护
Vhys(BOVP)
电池过压保护迟滞
IVBAT
VBAT 引脚漏电流
内置 P-MOSFET
VBAT 电压上升
VBAT=4.2V
VCHRIN_VOUT 锁定阈值
CHRIN 由低升高,
P-MOSFET GATDRV 控制
CHRIN 由高变低,
P-MOSFET 关闭
IOFF P-MOSFET 关断电流
ACIN=5V
0.9
6.6
230
230
版权所有© 2010 上海艾为电子技术有限公司
3 页 共 12
典型
1.1
2.56
380
3
0.6
0.3
6.8
280
100
3
1.2
150
4.4
260
160
40
最大 单位
1.4 mA
3.0 V
mV
ms
7V
330 mV
ns
ms
A
mA
V
290 mV
20 nA
mV
mV
1 μA


3Pages


AW3206 電子部品, 半導体
典型特性曲线
Input OVP Threshold
Vs.
Junction Temperature
6.85
6.80
6.75
ACIN Increasing
ACIN Decreasing
6.70
6.65
6.60
6.55
6.50
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Junction Temperature ()
Input Current Limit
Vs.
Junction Temperature
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
30
45 60 75 90 105 120 135
Junction Temperature ()
AW3206 产品手册
2010 8 V1.0
Battery OVP Threshold
Vs.
Junction Temperature
4.45
4.40
4.35
VBAT Increasing
VBAT Decreasing
4.30
4.25
4.20
4.15
4.10
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Junction Temperature ()
ACIN to OUT On Resistance
Vs.
Junction Temperature
700
650
600
550
500
450
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Junction Temperature()
版权所有© 2010 上海艾为电子技术有限公司
6 页 共 12

6 Page



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[ AW3206 データシート.PDF ]


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LED

Seoul Semiconductor
Seoul Semiconductor
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Integrated charge P-MOSFET lithium-ion battery protection controller

AWINIC
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