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AW3206のメーカーはAWINICです、この部品の機能は「Integrated charge P-MOSFET lithium-ion battery protection controller」です。 |
部品番号 | AW3206 |
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部品説明 | Integrated charge P-MOSFET lithium-ion battery protection controller | ||
メーカ | AWINIC | ||
ロゴ | |||
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AW3206 产品手册
2010 年 8 月 V1.0
集成充电 P-MOSFET 的锂离子电池充电保护控制器
特性
描述
y 输入过压保护
y 输入限流保护
y 锂离子电池过压保护
y 输出碰地保护
y 集成充电 P-MOSFET
y 内置专有的 K-ChargeTM 技术,可根据芯片温
度智能调整输出电流
y 内置过温保护
y ESD 保护:±8KV(HBM)
y 纤小的 DFN2x2-8L 封装
应用
y 蜂窝电话
y 数码相机
y PDA、MP3
AW3206 是一款高集成度的锂离子电池
充电保护控制器。AW3206 持续检测输入电
压和锂离子电池电压,若输入电压超过保护阈
值电压且持续时间超过 100ns,则内部功率
P-MOSFET 关闭,CHRIN 电压拉低。若锂离
子电池电压超过保护阈值电压,则内置充电
P-MOSFET 关闭。AW3206 内置限流保护电
路,充电电流会限制在安全的范围内。
AW3206 内置专有的 K-ChargeTM 技术,可根
据芯片温度智能调整输出电流,以保证在充电
期间整个充电系统的安全。
AW3206 内部集成了充电 P-MOSFET,
可省去手机充电系统中的外部充电
P-MOSFET 和肖特基二极管。AW3206 具有
防电流反灌功能,当 CHRIN 电压降低至低于
OUT 电压,充电 P-MOSFET 关闭,防止电
流从锂离子电池反灌至 AW3206。
AW3206 采用纤小的 DFN2x2-8L 封装,
额定的工作范围为-40℃至 85℃。
引脚分布及标记图
图 1 AW3206 引脚分布及标记图
版权所有© 2010 上海艾为电子技术有限公司
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1 Page 推荐工作条件
参数
电源电压 ACIN
OUT 引脚输出电流
结温 TJ
AW3206 产品手册
2010 年 8 月 V1.0
范围
4.4V to 10 V
0 to 1A
-40℃ to 125℃
电气特性
测试条件:TA=60℃,ACIN=5.0V,VBAT=3.8V(除非特别说明)。
参数
条件
最小
ACIN
IACIN
静态电流
VPOR
上电复位电压
Vhys(POR)
上电复位迟滞电压
TBLK
上电复位延时
输入与输出之间导通电阻
IOUT=0A,ICHRIN=0A
ACIN 从 0V 升高至 3V
ACIN 从 3V 降低至 0V
ACIN 与 OUT 之间导通电阻
CHRIN 与 OUT 之间导通电阻
IOUT=0.7A,ACIN=5.0V,
GATDRV=0V
IOUT=0.7A,ACIN=5.0V,
GATDRV=0V
输入过压保护
VOVP
输入过压保护
Vhys(OVP)
OVP 迟滞电压
TDGL(OVP)
OVP 去毛刺时间
TREC(OVP)
OVP 撤消延时
输入限流保护
ACIN 上升
IOCP 限流电流
ISHORT
输出碰地限流电流
电池过压保护
VBOVP
电池过压保护
Vhys(BOVP)
电池过压保护迟滞
IVBAT
VBAT 引脚漏电流
内置 P-MOSFET
VBAT 电压上升
VBAT=4.2V
VCHRIN_VOUT 锁定阈值
CHRIN 由低升高,
P-MOSFET 受 GATDRV 控制
CHRIN 由高变低,
P-MOSFET 关闭
IOFF P-MOSFET 关断电流
ACIN=5V,
0.9
6.6
230
230
版权所有© 2010 上海艾为电子技术有限公司
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典型
1.1
2.56
380
3
0.6
0.3
6.8
280
100
3
1.2
150
4.4
260
160
40
最大 单位
1.4 mA
3.0 V
mV
ms
Ω
Ω
7V
330 mV
ns
ms
A
mA
V
290 mV
20 nA
mV
mV
1 μA
3Pages 典型特性曲线
Input OVP Threshold
Vs.
Junction Temperature
6.85
6.80
6.75
ACIN Increasing
ACIN Decreasing
6.70
6.65
6.60
6.55
6.50
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Junction Temperature (℃)
Input Current Limit
Vs.
Junction Temperature
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
30
45 60 75 90 105 120 135
Junction Temperature (℃)
AW3206 产品手册
2010 年 8 月 V1.0
Battery OVP Threshold
Vs.
Junction Temperature
4.45
4.40
4.35
VBAT Increasing
VBAT Decreasing
4.30
4.25
4.20
4.15
4.10
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Junction Temperature (℃)
ACIN to OUT On Resistance
Vs.
Junction Temperature
700
650
600
550
500
450
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
Junction Temperature(℃)
版权所有© 2010 上海艾为电子技术有限公司
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ページ | 合計 : 12 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ AW3206 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
AW3200 | LED | Seoul Semiconductor |
AW3206 | Integrated charge P-MOSFET lithium-ion battery protection controller | AWINIC |