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GT10J321のメーカーはToshiba Semiconductorです、この部品の機能は「TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT」です。 |
部品番号 | GT10J321 |
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部品説明 | TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT | ||
メーカ | Toshiba Semiconductor | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとGT10J321ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 6 pages
TOSHIBA
GT10J321
Preliminary TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT
GT10J321
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
● The 4th generation
● Enhancement-mode
● Fast Switching(FS) :Operating frequency up to 150kHz(Reference)
● High speed
:tf=0.03μs(typ.)
● Low switching loss :Eon=0.26mJ(typ.)
:Eoff=0.18mJ(typ.)
● Low saturation voltage :VCE(sat)=2.0V(typ.)
● FRD included between emitter and collector
Maximum Ratings (Ta=25℃)
Characteristic
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Emitter-collector
forward current
DC
1ms
DC
1ms
Collector power dissipation
(Tc=25℃)
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
IF
IFM
PC
Tj
Tstg
Ratings
600
±20
10
20
10
20
29
150
-55~150
Unit
V
V
A
A
W
℃
℃
2001-6- 1/6
1 Page TOSHIBA
20
Common
emitte
Tc = 25℃
16
12
8
IC - VCE
15
10
20
9
4
0
0
20
16
VGE = 8V
1234
Collector-emitter voltage VCE (V)
5
VCE - VGE
Common emitter
Tc = -40℃
12
8
4
0
0
IC = 5A
20
10
4 8 12 16
Gate-emitter voltage VGE (V)
20
Common emitter
VCE = 5V
16
IC - VGE
20
12
8 125
4 Tc = 25℃
-40
0
0 4 8 12 16
Gate-emitter voltage VGE (V)
20
GT10J321
Reference
VCE - VGE
20
Common emitter
Tc = 25℃
16
12
20
8 10
4 IC = 5A
0
0
20
16
4 8 12 16
Gate-emitter voltage VGE (V)
20
VCE - VGE
Common emitter
Tc = 125℃
12
20
8 10
4 IC = 5A
0
0 4 8 12 16 20
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE(sat) - Tc
4
Common emitter
VGE = 15V
3
2
1
20
15
10
5
IC = 2A
0
-60
-20 20
60 100
Case temperature Tc (℃)
140
2001-6- 3/6
3Pages TOSHIBA
rth(t) - tw
102
101
FRD
100
10-1 IGBT
10-2
10-3
TC = 25℃
10-4
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102
PuPlsueles width tWw ((ss))
GT10J321
Reference
2001-6- 6/6
6 Page | |||
ページ | 合計 : 6 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ GT10J321 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
GT10J321 | TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT | Toshiba Semiconductor |