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GT10J321 の電気的特性と機能

GT10J321のメーカーはToshiba Semiconductorです、この部品の機能は「TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 GT10J321
部品説明 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT
メーカ Toshiba Semiconductor
ロゴ Toshiba Semiconductor ロゴ 




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GT10J321 Datasheet, GT10J321 PDF,ピン配置, 機能
TOSHIBA
GT10J321
Preliminary TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT
GT10J321
High Power Switching Applications
Fast Switching Applications
●  The 4th generation
●  Enhancement-mode
●  Fast Switching(FS) :Operating frequency up to 150kHz(Reference)
●  High speed
:tf=0.03μs(typ.)
●  Low switching loss :Eon=0.26mJ(typ.)
:Eoff=0.18mJ(typ.)
●  Low saturation voltage :VCE(sat)=2.0V(typ.)
●  FRD included between emitter and collector
Maximum Ratings (Ta=25)
Characteristic
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
Emitter-collector
forward current
DC
1ms
DC
1ms
Collector power dissipation
(Tc=25)
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
IF
IFM
PC
Tj
Tstg
Ratings
600
±20
10
20
10
20
29
150
-55150
Unit
V
V
A
A
W
2001-6- 1/6

1 Page





GT10J321 pdf, ピン配列
TOSHIBA
20
Common
emitte
Tc = 25
16
12
8
IC - VCE
15
10
20
9
4
0
0
20
16
VGE = 8V
1234
Collector-emitter voltage VCE (V)
5
VCE - VGE
Common emitter
Tc = -40
12
8
4
0
0
IC = 5A
20
10
4 8 12 16
Gate-emitter voltage VGE (V)
20
Common emitter
VCE = 5V
16
IC - VGE
20
12
8 125
4 Tc = 25
-40
0
0 4 8 12 16
Gate-emitter voltage VGE (V)
20
GT10J321
Reference
VCE - VGE
20
Common emitter
Tc = 25
16
12
20
8 10
4 IC = 5A
0
0
20
16
4 8 12 16
Gate-emitter voltage VGE (V)
20
VCE - VGE
Common emitter
Tc = 125
12
20
8 10
4 IC = 5A
0
0 4 8 12 16 20
Gate-emitter voltage VGE (V)
VCE(sat) - Tc
4
Common emitter
VGE = 15V
3
2
1
20
15
10
5
IC = 2A
0
-60
-20 20
60 100
Case temperature Tc ()
140
2001-6- 3/6


3Pages


GT10J321 電子部品, 半導体
TOSHIBA
rth(t) - tw
102
101
FRD
100
10-1 IGBT
10-2
10-3
TC = 25
10-4
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102
PuPlsueles width tWw ((ss))
GT10J321
Reference
2001-6- 6/6

6 Page



ページ 合計 : 6 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ GT10J321 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
GT10J321

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor


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