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K75EEH5のメーカーはInfineon Technologiesです、この部品の機能は「High speed 5 IGBT」です。 |
部品番号 | K75EEH5 |
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部品説明 | High speed 5 IGBT | ||
メーカ | Infineon Technologies | ||
ロゴ | |||
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IGBT
Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technologycopackedwithRAPID1
fastandsoftantiparalleldiode
IKZ75N65EH5
650VDuoPackIGBTanddiode
Highspeedseriesfifthgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page IKZ75N65EH5
Highspeedseriesfifthgeneration
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
3 Rev.2.1,2014-10-31
3Pages IKZ75N65EH5
Highspeedseriesfifthgeneration
DiodeCharacteristic,atTvj=25°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=25°C,
VR=400V,
IF=37.5A,
diF/dt=1500A/µs
- 58 - ns
- 1.02 - µC
- 29.0 - A
- -2800 - A/µs
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=150°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Tvj=150°C,
VCC=400V,IC=37.5A,
VGE=0.0/15.0V,
RG(on)=10.0Ω,RG(off)=18.0Ω,
Lσ=30nH,Cσ=25pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode reverse recovery.
min.
Value
typ.
max. Unit
- 24 - ns
- 13 - ns
- 400 - ns
- 15 - ns
- 1.10 - mJ
- 0.48 - mJ
- 1.58 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=150°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=150°C,
VR=400V,
IF=37.5A,
diF/dt=1500A/µs
- 91 - ns
- 2.58 - µC
- 42.0 - A
- -1845 - A/µs
6 Rev.2.1,2014-10-31
6 Page | |||
ページ | 合計 : 16 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ K75EEH5 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
K75EEH5 | High speed 5 IGBT | Infineon Technologies |