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1N60のメーカーはHAOHAIです、この部品の機能は「N-Channel MOSFET」です。 |
部品番号 | 1N60 |
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部品説明 | N-Channel MOSFET | ||
メーカ | HAOHAI | ||
ロゴ | |||
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1.3A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书
工业型号
公司型号 通俗命名
H
FQU1N60C
FQD1N60C
H1N60U
H1N60D
1N60
HAOHAI
封装标识
U: TO-251
D: TO-252
1N60 Series
N-Channel MOSFET
包装方式
每管数量
每盒数量
条管装
载带卷盘
80只/管
2.5K/卷
4Kpcs/盒
5Kpcs/盒
每箱数量
24Kpcs
25Kpcs
■APPLICATION
ELECTRONIC BALLAST
ELECTRONIC TRANSFORMER
SWITCH MODE POWER SUPPLY
ID=1.3A
VDS=600V
RDS(on)=13Ω
■FEATURES
LOW ON-RESISTANCE
FAST SWITCHING
HIGH INPUT RESISTANCE
RoHS COMPLIANT
Package: TO-251 and TO-252(IPAK & DPAK)
■特点
导通电阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
■应用范围
开关电源、LCD电源、LED驱动电源、机箱电源、UPS电源
各种充电器、电子整流器、电子变压器、逆变器、控制器
转换器、风扇控制板、
以及电源适配器、汽车稳压器等线性放大和功率开关电路
■封装形式
TO-251(IPAK)、TO-252(DPAK)
1N60 Series Pin Assignment
3-Lead Plastic TO-251
Package Code: U
Pin 1: Gate
Pin 2: Drain
Pin 3: Source
3-Lead Plastic TO-252
Package Code: D
Pin 1: Gate
Pin 2: Drain
Pin 3: Source
2D
Series Symbol: 1 G
3S
■ 最大额定 Absolute Maximum Ratings(TC=25℃)
参数
PARAMETER
漏-源电压 Drain-source Voltage
栅-源电压 gate-source Voltage
漏极电流 Continuous Drain Current8
TC=25℃
TC=100℃
最大脉冲电流 Drain Current -Pulsed ①
耗散功率 Power Dissipation (TL=25°C)
最高结温 Junction Temperature
存储温度 Storage Temperature
单脉冲雪崩能量 Single Pulse Avalanche Energy ②
* 漏极电流由最高结温限制 (*Drain current limited by maximum junction temperature)
符号
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IDM
PD
Tj
TSTG
EAS
额定值
VALUE
600
±30
1.0 *
0.6 *
4.0 *
28
150
-55~+150
14
单位
UNIT
V
A
W
℃
mJ
http://www.szhhe.com
HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
第1页 共6页
致力於中國功率器件優秀供應商
1N60C-UD-E2C
1 Page 1.3A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书
■ Electrical Characteristics(TC=25℃)
参数
PARAMETER
栅极漏电流
Gate-body Leakage Current (VDS=0)
漏-源导通电阻
Static Drain-source On Resistance
输入电容
Input Capacitance
关断延迟时间
Turn -Off Delay Time
栅极电荷
Total Gate Charge
栅源电荷
Gate-to-Source Charge
栅漏电荷
Gate-to-Drain Charge
二极管正向电流
Continuous Diode Forward Current
二极管正向压降
Diode Forward Voltage
反向恢复时间
Reverse Recovery Time
反向恢复电荷
Reverse Recovery Charge
符号
SYMBOL
IGSS
RDS(ON)
Ciss
Td(off)
Qg
QgS
Qgd
IS
VSD
Trr
Qrr
1N60 Series
N-Channel MOSFET
测试条件
TEST CONDITION
最小值 典型值 最大值
MIN TYP MAX
单位
UNIT
VGS=±30V
VGS=10V, ID=0.5A ③
VGS=0V, VDS=25V
F=1.0MHZ
VDD=300V, ID=1.0A
RG=25Ω ③
ID=1.0A
VDS=480V
VGS=10V
③
±100
nA
13 15 Ω
130 pF
13 nS
4.8
0.7 nC
2.7
Tj=25℃, IS=0.5A
VGS=0V ③
Tj=25℃
IF=1.0A
di/dt=100A/μs
③
1.0 A
1.4 V
190 nS
0.53 μC
■ 热特性 Thermal Characteristics
参数 PARAMETER
热阻结-环境 Thermal Resistance Junction-lead
热阻结-环境 Thermal Resistance Junction-ambient
注释 (Notes):
① 脉冲宽度:以最高节温为限制 (Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature)
② 初始结温 =25 ℃ , V DD =50V, L=30mH, R G =25Ω, I AS =1.0A (Starting T j =25 ℃ , V DD =50V, L=30mH, R G =25Ω, I AS =1.0A)
③ 脉冲测试 : 脉冲宽度≤ 300μs, 占空比≤ 2% (Pulse Test: Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%)
符号
SYMBOL
RthJL
RthJA
最大值
MAX
4.46
110
单位
UNIT
℃/W
http://www.szhhe.com
HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
第3页 共6页
致力於中國功率器件優秀供應商
1N60C-UD-E2C
3Pages 1.3A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书
Manufacturers version information
2007-03-11 , HAOHAI ™ Product Data-S1.0
2010-04-10 , HAOHAI ™ Product Data-S1.1
2014-07-11 , HAOHAI ™ Product Data-1R3
1N60 Series
N-Channel MOSFET
经中华人民共和国工商行政管理总局商标局批准
HAOHAI、HHE 图案、字母、均为我公司正式注册商标,仿冒、盗用均属侵权,违法必究!
WARN:Letters, patterns, are officially registered my trademark counterfeiting, theft are all violations, violators will be held liable !
深圳市浩海電子有限公司
SHENZHEN HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
2 floor(whole floor), BAOXIN Building. 0 Lane on the 8th. Yufeng Garden.
82 District. BAOAN District, Shenzhen City, Guangdong Province, China.
中國 廣東省 深圳市 寶安區 82区 裕豐花園 零巷8號 寶馨樓 二楼 (全层)
公司电话 TEL: +86-755-29955080、29955081、29955082、29955083
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FAX: +86-755-27801767
E-mail:[email protected]
http://www.szhhe.com
http://www.kkg.com.cn
http://www.szhhe.com
HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
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致力於中國功率器件優秀供應商
1N60C-UD-E2C
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PDF ダウンロード | [ 1N60 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
1N60 | GOLD BONDED GERMANIUM DIODE | ETC |
1N60 | GOLD BONDED GERMANIUM DIODE | ETC |
1N60 | Zender Diodes | American Microsemiconductor |
1N60 | Germanium Glass Diodes | International Semiconductor |